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公开(公告)号：CN116063967B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310140440.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种量子点荧光胶体、量子点On‑chip白光LED及其制备方法，其按一定质量比的单齿膦配体或多齿膦配体与量子点混合，加入一定体积的极性溶剂混合均匀，蒸干溶剂形成配体/量子点混合物，研磨混合物形成配体/量子点粉末，将一定量的封装胶与粉末混合均匀得到量子点荧光胶体；或者，按一定质量比的单齿膦配体或多齿膦配体与量子点混合，研磨形成配体/量子点粉末混合物，将一定量的封装胶与粉末混合物混合均匀得到量子点荧光胶体；该制备方法有效地实现了配体与量子点的包覆，减小了量子点在与胶水固化过程中配体的脱离，起到了钝化量子点表面的作用，并且减小了量子点在胶水固化过程中的团聚，提高器件的发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN117289374A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311291930.2
申请日：2023-10-08
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种鲁棒性强的高Q值等离激元共振超表面器件，该器件自下而上包括衬底层、周期性阵列排布与衬底上的“超分子”单元，和布置与衬底及“超分子”单元上的表面金属层；“超分子”单元包括两根相距一定间隔布置的立柱和布置于两根立柱之间的横杆；横杆的长度方向与立柱的布置方向相同，且长度与两根立柱之间的距离相等；两根立柱半径不同，呈现非对称配置；本发明的超表面器件相比调控单侧高度的超表面器件具有Q值更高且Q值对结构变化相对不敏感特征，能有效抑制器件加工时引入误差导致器件Q值急剧下降的缺点，极大地提升了器件的实用性。
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公开(公告)号：CN116063967A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310140440.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种量子点荧光胶体、量子点On‑chip白光LED及其制备方法，其按一定质量比的单齿膦配体或多齿膦配体与量子点混合，加入一定体积的极性溶剂混合均匀，蒸干溶剂形成配体/量子点混合物，研磨混合物形成配体/量子点粉末，将一定量的封装胶与粉末混合均匀得到量子点荧光胶体；或者，按一定质量比的单齿膦配体或多齿膦配体与量子点混合，研磨形成配体/量子点粉末混合物，将一定量的封装胶与粉末混合物混合均匀得到量子点荧光胶体；该制备方法有效地实现了配体与量子点的包覆，减小了量子点在与胶水固化过程中配体的脱离，起到了钝化量子点表面的作用，并且减小了量子点在胶水固化过程中的团聚，提高器件的发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN107481865B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710678280.5
申请日：2017-08-09
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种基于GQD/Co(OH)2复合材料的全固态柔性微型超级电容器，所述全固态柔性微型超级电容器的正极采用GQD/Co(OH)2复合材料制备而成，所述GQD/Co(OH)2复合材料按照包括如下步骤的方法制得：GQD(石墨烯量子点)粉体的水溶液、Co(NO3)2.6H2O、KCl与水混合均匀，以混合溶液为电解液，以纳米孔金线为工作电极，经恒流沉积获得GQD/Co(OH)2复合材料。本发明提供的基于GQD/Co(OH)2复合材料的全固态柔性微型超级电容器，具有良好的导电性和较高的能量密度，且其容量易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449974B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610899238.1
申请日：2016-10-14
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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公开(公告)号：CN105712404B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610250811.6
申请日：2016-04-21
Applicant: 华南师范大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明提供一种MoS2量子点的制备方法，包括如下步骤：1)配制含有2～6g/L的Na2MoO4·2H2O和2～6g/L的C2H5NS的溶液，将溶液倒入反应釜中进行水热反应；离心洗涤水热反应所得的样品，并进行干燥、研磨，得MoS2粉末；2)将步骤1)制得的MoS2粉末和极性溶剂混合，通过超声使MoS2粉末分散均匀在极性溶剂中，二者混合均匀后进行溶剂热反应；静置溶剂热反应所得混合液，取1/4～1/2上清液在6000‑10000r/min转速下离心，再由上往下取离心液的1/4～1/2，得含MoS2量子点的液体。该MoS2量子点生产工艺具有低成本、安全高效、绿色环保的特点。
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公开(公告)号：CN105712404A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610250811.6
申请日：2016-04-21
Applicant: 华南师范大学
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/51 , C01P2006/32 , C01P2006/90
Abstract: 本发明提供一种MoS2量子点的制备方法，包括如下步骤：1)配制含有2～6g/L的Na2MoO4·2H2O和2～6g/L的C2H5NS的溶液，将溶液倒入反应釜中进行水热反应；离心洗涤水热反应所得的样品，并进行干燥、研磨，得MoS2粉末；2)将步骤1)制得的MoS2粉末和极性溶剂混合，通过超声使MoS2粉末分散均匀在极性溶剂中，二者混合均匀后进行溶剂热反应；静置溶剂热反应所得混合液，取1/4～1/2上清液在6000?10000r/min转速下离心，再由上往下取离心液的1/4～1/2，得含MoS2量子点的液体。该MoS2量子点生产工艺具有低成本、安全高效、绿色环保的特点。
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公开(公告)号：CN103730572B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410003695.9
申请日：2014-01-03
Applicant: 华南师范大学
Inventor： 陈心满
Abstract: 本发明公开了一种互补型阻变存储器，包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的非晶ZnO薄膜介质层；设于非晶ZnO薄膜介质层上表面的非晶MgZnO薄膜介质层；设于非晶MgZnO薄膜介质层上表面的TiN电极。通过本发明不仅可解决ZnO阻变器件十字交叉阵列的串扰问题，同时ZnO简单的成分和晶体结构、丰富的来源、低廉的价格将降低器件的制作工艺和成本，推进十字交叉阻变存储器阵列的实际应用具有非常重要意义。
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公开(公告)号：CN105355461A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510821905.X
申请日：2015-11-23
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供一种基于MoS2阳极的非对称超级电容器及其制备方法，该制备方法包括如下步骤，1)将Na2MoO4·2H2O和C2H5NS的混合溶液、及泡沫镍加入反应釜进行水热反应，冷却反应釜，清洗、干燥产物，得蜂窝状MoS2纳米片电极材料；2)在以泡沫镍为工作电极、铂片为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统中，以Co(NO3)2和KCl的混合溶液为电解液，在室温下进行恒流沉积，得Co(OH)2纳米片电极材料；3)以KOH溶液为电解液、以蜂窝状MoS2纳米片电极材料为阳极、以Co(OH)2纳米片电极材料为阴极，在阳极和阴极之间设隔膜组装成非对称超级电容器。本发明提供的方法工艺简单、绿色环保。
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