一种射频辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN104538279A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410818779.8

    申请日:2014-12-25

    CPC classification number: H01J49/26 H01J49/105

    Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置,包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体,所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座,所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通,所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通,所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区,在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板,所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制,且电离效率高和离子引入效率高,具有检测应用范围广,灵敏度高、检测限低的特点。

    一种激光辅助辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN104538275A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410818850.2

    申请日:2014-12-25

    CPC classification number: H01J49/161

    Abstract: 本发明公开了一种激光辅助辉光放电电离装置,包括激光光源、质谱分析器、封闭的电离腔和电离主体,电离主体包括装有空心铜柱的铜柱固定座和装有样品的样品固定座,空心铜柱通过导线与电离腔底板连接地电位,样品与辉光放电供电电源导通,铜柱固定座和样品固定座正对设置,空心铜柱在样品的对侧设有激光孔且在激光孔内形成电离区,激光光源发出的激光穿过空心铜柱后垂直照射在样品上,在电离区的一侧设有将电离区内的离子送入质谱分析器的推斥板,推斥板与直流高压电源导通。本发明通过上述结构引入辉光放电电压信号、地电位,并通过推斥板引入直流高电压可将放电产生的离子引入质谱分析器,提高离子传输效率,检测灵敏度高。

    一种射频辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN204303751U

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201420834114.1

    申请日:2014-12-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种射频辉光放电电离装置,包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体,所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座,所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通,所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通,所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区,在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板,所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本实用新型由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制,且电离效率高和离子引入效率高,具有检测应用范围广,灵敏度高、检测限低的特点。

    一种激光辅助辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN204303750U

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201420833217.6

    申请日:2014-12-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种激光辅助辉光放电电离装置,包括激光光源、质谱分析器、封闭的电离腔和电离主体,电离主体包括装有空心铜柱的铜柱固定座和装有样品的样品固定座,空心铜柱通过导线与电离腔底板连接地电位,样品与辉光放电供电电源导通,铜柱固定座和样品固定座正对设置,空心铜柱在样品的对侧设有激光孔且在激光孔内形成电离区,激光光源发出的激光穿过空心铜柱后垂直照射在样品上,在电离区的一侧设有将电离区内的离子送入质谱分析器的推斥板,推斥板与直流高压电源导通。本实用新型通过上述结构引入辉光放电电压信号、地电位,并通过推斥板引入直流高电压可将放电产生的离子引入质谱分析器,提高离子传输效率,检测灵敏度高。

    一种阳极冷却液体采样大气压辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN116206941A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310319011.5

    申请日:2023-03-28

    Inventor: 郭长娟 宋爽

    Abstract: 本发明涉及化学成分分析技术领域,公开了提供的一种阳极冷却液体采样大气压辉光放电电离装置,包括:电离源腔体、阳极部件、阴极部件、液冷部件、气冷部件和检测部件;电离源腔体设有电离腔;阳极部件的一端连接供电设备,另一端穿入电离腔;阴极部件的一端连接样品供给设备和供电设备,另一端穿入电离腔与阳极部件对应;液冷部件和气冷部件的冷却区与阳极部件对应,用于对阳极部件的降温;检测部件的检测端穿入电离腔,与阳极部件和阴极部件的反应区对应;保持阳极金属的适当温度能够提高放电强度,避免因放电环境温度过高而导致的放电稳定性差,以及无法保证放电时间的问题,降低因空气干扰物对检测谱图的干扰;提升了试验安全性和可靠性。

    一种射频辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN104538279B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201410818779.8

    申请日:2014-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置,包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体,所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座,所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通,所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通,所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区,在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板,所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制,且电离效率高和离子引入效率高,具有检测应用范围广,灵敏度高、检测限低的特点。

    加热毛细管液体阴极辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN111063604B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202010030007.3

    申请日:2020-01-13

    Inventor: 郭长娟 胡春燕

    Abstract: 本发明公开了一种加热毛细管液体阴极辉光放电电离装置,其结构包括:电离腔室,废液池,阳极单元,光谱仪配用组件和质谱仪配用组件,光谱仪配用组件和质谱仪配用组件的一个可拆卸安装在所述电离腔室上,其中光谱仪配用组件包括第一进样单元、第一密封块和光谱仪连接块,质谱仪配用组件包括第二进样单元、第二密封块和质谱仪连接块,其中进样单元连通负极配合待测溶液形成液体阴极。本发明的加热毛细管液体阴极辉光放电电离装置既可用于原子光谱分析检测又可以用于质谱分析检测的效果,改进了对待分析信号离子的收集与传输效果,既可在直流模式也可在射频模式下工作,拓展电离源的检测应用范围,适用性更加广泛。

    一种低频射频辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN110993480B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN201911293234.9

    申请日:2019-12-16

    Inventor: 郭长娟 胡春燕

    Abstract: 本发明公开了一种低频射频辉光放电电离装置,包括具有电离腔的电离源外壳、进样单元和辅助进气单元;所述进样单元包括金属型的进样管、套装所述进样管的加热筒,所述加热筒内设有加热棒,所述进样管插入电离腔内,所述电离源外壳正对进样管的一端设有用于和质谱仪相连的分析物出口;所述电离腔内设有电离源和能够激发电场的电极板组,带电分析物离子在电场引导下由进样管端朝分析物出口方向运动;所述辅助进气单元包括进气管和用于加热所述进气管内气体的加热装置,所述进气管从进样管的一端插入所述电离腔内。具有检测应用范围较广,电离效率高,检测灵敏度高,对真空度要求较低及可检测挥发性液体样品的特点。

    一种低频射频辉光放电电离装置

    公开(公告)号:CN110993480A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911293234.9

    申请日:2019-12-16

    Inventor: 郭长娟 胡春燕

    Abstract: 本发明公开了一种低频射频辉光放电电离装置,包括具有电离腔的电离源外壳、进样单元和辅助进气单元;所述进样单元包括金属型的进样管、套装所述进样管的加热筒,所述加热筒内设有加热棒,所述进样管插入电离腔内,所述电离源外壳正对进样管的一端设有用于和质谱仪相连的分析物出口;所述电离腔内设有电离源和能够激发电场的电极板组,带电分析物离子在电场引导下由进样管端朝分析物出口方向运动;所述辅助进气单元包括进气管和用于加热所述进气管内气体的加热装置,所述进气管从进样管的一端插入所述电离腔内。具有检测应用范围较广,电离效率高,检测灵敏度高,对真空度要求较低及可检测挥发性液体样品的特点。

    一种检测硅材料中硼含量的方法

    公开(公告)号:CN112229831A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202010917291.6

    申请日:2020-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种检测硅材料中硼含量的方法,包括如下步骤:(1)向硅材料依次加入氢氟酸和硝酸对硅材料进行初步溶解;然后二次加入硝酸,使硅材料完全溶解;(2)对步骤(1)得到的溶液进行加热,控制溶液温度为90~100℃,溶液外的加热装置温度为150~230℃;(3)检测硼含量。本发明通过控制硝酸的加入方式,并通过控制加热方式,在溶液内外形成温度差,使得硼元素得以保留,同时加快了挥酸速度,而且本发明的方法不需要加入任何络合剂,降低了空白,提高检测准确度。

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