公开(公告)号：CN104538279B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201410818779.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 郭长娟 ,  朱辉 ,  张景堂 ,  李艳 ,  杨捷 ,  万家海 ,  黄正旭

IPC: H01J49/26 ,  H01J49/10

Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。

公开(公告)号：CN104538279A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410818779.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 华南师范大学 ,  广州禾信分析仪器有限公司

Inventor： 郭长娟 ,  朱辉 ,  张景堂 ,  李艳 ,  杨捷 ,  万家海 ,  黄正旭

IPC: H01J49/26 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01J49/26 ,  H01J49/105

Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。

公开(公告)号：CN204303751U

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201420834114.1

申请日：2014-12-25

Applicant: 华南师范大学 ,  广州禾信分析仪器有限公司

Inventor： 郭长娟 ,  朱辉 ,  张景堂 ,  李艳 ,  杨捷 ,  万家海 ,  黄正旭

IPC: H01J49/26 ,  H01J49/10

Abstract: 本实用新型公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本实用新型由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。