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公开(公告)号：CN119483193A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411425256.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 华北电力大学 , 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
Inventor： 李毅 , 陈勇 , 赵斌 , 程旭 , 孙鹏 , 陈建福 , 赵志斌 , 高志华 , 何建宗 , 曹安瑛 , 李振聪 , 杨锐雄 , 裴星宇 , 李建标 , 吴宏远 , 赵晓燕 , 刘尧 , 廖雁群
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体芯片并联均流的筛选方法和电子设备，该方法包括：获取各功率半导体芯片对应的芯片参数，并根据多个芯片参数，对多个功率半导体芯片进行排序，得到芯片组合，芯片参数为表征功率半导体芯片的特性的参数；获取功率模块中各支路对应的电路参数，并根据多个电路参数，对多个支路进行排序，得到支路组合，电路参数为表征支路的特性的参数；将芯片组合中的功率半导体芯片依次连入支路组合中的支路中，得到目标功率模块。本申请解决了现有技术中基于阈值电压一致性进行芯片筛选的方法需要芯片的阈值电压一致导致芯片利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN115472355B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202211124115.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
Abstract: 本发明提供一种用于气液混合态介质内的绝缘装置，属于高压绝缘领域，绝缘装置包括：第一绝缘子段、第二绝缘子段及第三绝缘子段；第一绝缘子段和第二绝缘子段均为圆台形；第三绝缘子段为圆柱形；第一绝缘子段的上底面与高电位金属体连接，下底面与第二绝缘子段的下底面固定；第三绝缘子段的一个底面与低电位金属体连接，另一个底面与第二绝缘子段的上底面固定；第一绝缘子段的侧面、第二绝缘子段的侧面及第三绝缘子段的侧面在轴向上均为正弦函数曲线形状。避免了气液混合态介质在绝缘装置表面聚集导致绝缘性能下降的问题，即提高了绝缘装置在气液混合态介质内的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN119028935B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN112638105B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011560566.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其封装方法，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本发明能够改善电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN111063679B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN119028936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN118914625A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968197.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请涉及一种罗氏线圈信号处理电路、电流传感器及信号处理方法，该电路至少包括积分电路、缓冲器、半波整流电路、二阶高通滤波电路以及二阶低通滤波电路；其中缓冲器用于隔离缓冲器前后的电路信号相互影响并保持电压跟随；二阶高通滤波电路用于对积分电路输出信号进行高通滤波，保留高频成分；二阶低通滤波电路用于对半波整流电路输出信号进行低通滤波，保留低频成分。通过二阶滤波电路分别获取积分电路输出信号的高频部分和低频部分并互补叠加，获得完整的暂态振荡波形正确且无下垂失真的被测电流信号，其提高了传感器测量精准度并实现长时间测量。同时缓冲器可避免前后电路的信号影响并保证前后电压跟随，进而提高最终输出信号的准确性。
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公开(公告)号：CN118884159A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411014498.7
申请日：2024-07-26
Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
Abstract: 本申请公开了一种压接式IGBT模块的温敏电参量校准曲线提取装置，涉及IGBT测试技术领域，该装置内夹具组件包括滑杆和自下而上依次设置的下加热层、双面加热层和上加热层；测控组件中控制器控制温度调节组件调节下加热层、双面加热层和上加热层使第一压接式IGBT模块和第二压接式IGBT模块均保持在预设温度；控制器用于对电参数测量组件获取的第一压接式IGBT模块的电压信号和电流信号分别进行波形处理，同时对第二压接式IGBT模块的电压信号和电流信号分别进行波形处理，本申请通过控制加热层对IGBT芯片实现温度给定，实时监测电参量获得能够反映电参量与结温关系的温敏校准曲线，满足压接式IGBT模块的测试需求。
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公开(公告)号：CN118884014A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410532771.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开一种芯片电流监测系统、方法及多芯片并联碳化硅功率模块，属于功率器件状态监测领域。该芯片电流监测系统包括PCB电路板及其内部的多个PCB Rogowski电流传感器，PCB电路板包括PCB正直流焊盘、PCB交流焊盘、PCB负直流总焊盘、多个电流信号输出端、多个上桥功率通孔和多个下桥功率通孔，一个碳化硅芯片连接一个功率通孔的一端，所有上桥功率通孔的另一端连接在PCB交流焊盘上，所有下桥功率通孔的另一端连接在PCB负直流总焊盘上，并在每个功率通孔的周围分别嵌入一个PCB Rogowski电流传感器。本发明将PCB Rogowksi线圈封装于碳化硅功率模块中，可测量并联的每个碳化硅芯片的电流。
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