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公开(公告)号：CN113341199A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110623698.2
申请日：2021-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器，由多种低温共烧陶瓷瓷带层组成，在瓷带层表面印刷导带并按照一定顺序堆叠而成；所述低温共烧陶瓷瓷带层包括顶盖、顶部功率连接层、顶部信号连接层、铁氧体磁环包覆层、铁氧体磁环外部垂直连接层、铁氧体磁环、铁氧体磁环中央垂直连接层、底部信号连接层、底部信号汇集层、底部基板层。本发明提出了基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术和铁氧体磁环线圈方法的高温电流传感器，可实现在高温环境下功率模块的电流测量，具有测量准确、成本低、用性强、易集成易推广等诸多优点。
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公开(公告)号：CN111063679B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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公开(公告)号：CN118112387A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363304.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备，其包括对碳化硅MOSFET构建双脉冲测试电路；利用双脉冲测试电路进行碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试；根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试获得监测碳化硅MOSFET退化的前兆参数；利用数值分析法分析获得影响前兆参数灵敏度的关键驱动配置参数；结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅MOSFET的退化类型；该方法通过设定前兆参数来实现栅氧退化与封装退化的解耦，可以大大降低监测系统的复杂性，提高监测系统的可靠性，提高解耦的准确性；进而在完成退化类型的解耦后，可根据退化类型对系统实现有针对性的调控，可以大大提高装备的可靠性和运行效率。
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公开(公告)号：CN118112386A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363283.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，属于碳化硅半导体器件状态监测领域。其技术方案为：一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，包括以下步骤：构建综合考虑封装寄生参数的碳化硅MOSFET开关特性分析模型；根据分析模型推导漏极电流增加速率；根据漏极电流增加速率定义退化前兆参数，监测退化前兆参数是否大于零：是则判定碳化硅MOSFET发生退化，否则判定碳化硅MOSFET健康。本发明的有益效果是：本发明提供的一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法仅用单个监测量便可综合表征栅氧退化和键合线疲劳两种不同的退化类型、降低监测系统复杂性、提高状态监测系统可靠性。
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公开(公告)号：CN117252140A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311237997.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 华北电力大学 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G06F30/367 , H02M1/32 , H02M1/00 , G16C20/00
Abstract: 碳化硅MOSFET的关断暂态过程的建模方法，包括：结合混合式直流断路器拓扑结构及其运行原理，考虑碳化硅MOSFET内部寄生参数和外部驱动参数以及转移支路、耗能支路电路参数，通过对转移支路碳化硅MOSFET微秒级关断暂态过程的精确建模，获得器件关断暂态过程中漏极电压、栅极电压表达式，分析关键参数对碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响规律，并对器件关断后的振荡阶段进行研究。本发明可以有效评估混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响因素，对器件关断暂态电压建立过程的相关应力考核的更为全面，能够用于保证混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET的安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116224007A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194082.7
申请日：2023-02-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET双极退化脉冲实验平台及计算方法，包括功率输入单元、实验测试单元、驱动单元、开关控制单元、连接单元、测量单元。本发明提出的碳化硅MOSFET双极性退化加速老化实验平台符合器件的实际工况，可以解耦其他退化机制对于双极退化的影响，便于实验结果分析，通过分析对实验PCB板进行合理设计，抑制了寄生参数对实验结果的影响，提出的参数指标计算方法有助于选择合适的实验设备，降低了实验成本，考虑到实验器件参数漂移影响，采集实验电路反馈的脉冲电流有效值信息，通过实时调节功率源电压，使采集电流与预设值电流差值满足精度要求，保证实验过程中脉冲电流应力不变。
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公开(公告)号：CN111063679A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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公开(公告)号：CN117970006A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410223386.6
申请日：2024-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请提供的一种高温功率循环测试装置及测试方法，包括：电源单元，旁路单元，多个测试单元，数据采集单元，上位机，主开关单元，开关组单元；所述测试单元包括散热单元，连接单元，温度传感器单元，驱动单元。通过温度传感器单元实时采集待测器件的壳温，通过预先获取的待测器件的结壳热阻，实时计算当待测器件的当前结温，当前结温达到预设结温阈值时，使旁路单元导通，待测器件断开。本申请对器件栅氧退化的影响进行部分补偿，避免器件老化应力不合理，保证了测试的准确，并通过直流母线的方式为多个测试单元供电，实现多器件并行测试，增加了测试器件的数量，测试效率提高，且待测器件之间相互独立、互不影响，测试平台更加灵活易拓展。
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公开(公告)号：CN114113958A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110626143.3
申请日：2021-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用，包括如下步骤：判断系统是否发生短路故障，若是则启动短路保护，主回路断开；用于检测功率半导体器件损坏情况的电路启动，测量功率半导体器件的静态参数；采集测量结果，将其与预设阈值进行比较；输出比较结果，若判定功率器件已发生栅源极失效，则需要发出损坏预警，若判定功率器件状态良好、尚未损坏，则可继续使用；电路重合闸，主回路闭合，系统继续运行。本发明提出的基于栅极泄漏电流的短路后栅源极失效判定方法具有更高的判别准确性、灵敏性、实用性、更高的参数灵敏度、更准确有效。
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公开(公告)号：CN113919598A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111414370.6
申请日：2021-11-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种CFB锅炉机组深调峰性能监测方法，所述方法包括如下步骤：获取CFB锅炉机组的历史运行数据及历史运行数据对应的CFB锅炉机组的深调峰性能；利用DBN网络模型对历史运行数据进行降维；利用降维后的历史运行数据及其对应的CFB锅炉机组的深调峰性能，训练LSSVM模型；获取CFB锅炉机组的当前运行数据并进行降维；将降维后的当前运行数据输入训练后的LSSVM模型，确定CFB锅炉机组的深调峰性能。本发明首先利用DBN网络模型对复杂的运行数据进行降维，利用降维后的运行数据进行LSSVM模型训练及深调峰性能的评估，提高了LSSVM模型收敛的速度，实现了CFB锅炉机组的深调峰性能快速且准确预测。
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