-
公开(公告)号：CN112864142A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110270648.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本发明解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。
-
公开(公告)号：CN112638105A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011560566.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其封装方法，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本发明能够改善电流分布的均匀性。
-
公开(公告)号：CN113110681B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
-
公开(公告)号：CN112638105B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011560566.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其封装方法，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本发明能够改善电流分布的均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113110681A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
-
公开(公告)号：CN213880658U
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202023175463.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本实用新型能够改善电流分布的均匀性。
-
公开(公告)号：CN207541488U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721418547.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 华北电力大学
Inventor： 余秋萍
IPC: G05B19/418 , H05B37/02
Abstract: 本实用新型提供了教室电器智能开关系统，包括定时器、控制器、传感器和室内电器；定时器，与控制器相连接，用于根据人工预设时间向控制器发送时间控制信号；传感器，与控制器相连接，用于获取室内环境信息，并将室内环境信息发送给控制器；控制器，与室内电器相连接，用于根据时间控制信号和室内环境信息判断是否需要开启室内电器，并在需要的情况下向室内电器发送驱动信号。本实用新型可以预设电器开关时间，根据室内人员环境精准定位电灯、电扇等设备的打开位置，并依据人体活动量设定设备的工作等级，智能化控制教室内电器，节省电能，提高学生的上课和自习的舒适度。
-
公开(公告)号：CN214203683U
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202120523227.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本实用新型解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。
-
公开(公告)号：CN207837329U
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201721418540.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 华北电力大学
Inventor： 余秋萍
Abstract: 本实用新型提供了智能水杯和系统，智能水杯包括：杯体、流量传感器、定时器、控制器、提醒装置和摇动加热装置，摇动加热装置包括摇杆状杯把；流量传感器与控制器相连，用于监测用户的饮水量；定时器与控制器相连，用于人工设定饮水时间；控制器与提醒装置相连，用于判断用户是否达到预设饮水量，在未达到时向提醒装置发送第一驱动信号；提醒装置与杯体相连，根据第一驱动信号亮起指示灯并发出提示音乐；摇动加热装置与杯体相连，用于通过摇动与杯体相连接的摇杆状杯把，感应出产生热量的环形电流群旋对杯中液体进行加热。本实用新型可以实时监测用户的日常饮水量并给予提示，同时可以对杯内液体进行加热或冷却，使人们获得更好的饮水体验。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.016 seconds)
