公开(公告)号：CN106898666A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710028336.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陶泉丽 ,  马大燕 ,  白一鸣

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明涉及一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法。太阳电池的结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈，形成势垒以降低载流子复合，增强载流子扩散。在太阳电池的迎光面覆有减反射膜，在背光面覆有电极。本发明的(110)体硅太阳电池是一种真正意义上的三维太阳电池，其径向p‑n结结构能够显著提高晶体硅太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN110137298B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910526744.X

申请日：2019-06-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陈梦 ,  陶泉丽 ,  常甄文

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p‑Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n‑Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN110137298A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910526744.X

申请日：2019-06-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陈梦 ,  陶泉丽 ,  常甄文

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p-Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n-Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN108807574A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810577678.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  石岱星 ,  徐甲然 ,  陶泉丽 ,  白一鸣

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/042 ,  H01L31/1804

Abstract: 一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。制备步骤包括制备p型单晶硅片；在p型单晶硅片正面制备多孔硅结构；采用磷快速热扩散方法制备p‑n结；最后制备上、下电极。本发明相较于传统晶硅电池，是将原先的两个步骤倒金字塔表面织构化和沉积减反射层简化为制作多孔硅层一个步骤，可以大幅度降低制作成本，同时多孔硅的宽带隙使得其可以作为窗口层，吸收高能量光子，提高了太阳能电池效率。

公开(公告)号：CN106898666B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710028336.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陶泉丽 ,  马大燕 ,  白一鸣

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法。太阳电池的结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈，形成势垒以降低载流子复合，增强载流子扩散。在太阳电池的迎光面覆有减反射膜，在背光面覆有电极。本发明的(110)体硅太阳电池是一种真正意义上的三维太阳电池，其径向p‑n结结构能够显著提高晶体硅太阳电池的效率。