一种风电项目投资估算方法及装置

    公开(公告)号:CN112085459B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202010724825.3

    申请日:2020-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种风电项目投资估算方法及装置,包括:获取与风电单位千瓦投资相关的工程特征因素数据;将所述与风电单位千瓦投资相关的工程特征因素数据输入至预先训练的误差反向传播神经网络模型,确定风电单位千瓦投资估算值。本发明提供的技术方案提高了模型优化的能力和准确度,进而提高了投资估算的精度和泛化能力,实现了快速合理地估算风电项目投资,为投资决策和项目立项提供了科学客观的依据,具有重要的社会意义。

    一种风电项目投资估算方法及装置

    公开(公告)号:CN112085459A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010724825.3

    申请日:2020-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种风电项目投资估算方法及装置,包括:获取与风电单位千瓦投资相关的工程特征因素数据;将所述与风电单位千瓦投资相关的工程特征因素数据输入至预先训练的误差反向传播神经网络模型,确定风电单位千瓦投资估算值。本发明提供的技术方案提高了模型优化的能力和准确度,进而提高了投资估算的精度和泛化能力,实现了快速合理地估算风电项目投资,为投资决策和项目立项提供了科学客观的依据,具有重要的社会意义。

    GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法

    公开(公告)号:CN110137298B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910526744.X

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法,其包括以下步骤:1)选取p型单晶硅衬底;2)在p‑Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜,形成Ge/Si异质结底电池;3)在n‑Ge薄膜上,采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层;4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结;5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池;6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结;7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池;8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层;9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层;10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜;11)制备上下表面金属电极,并完成多结太阳电池的制备。

    GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法

    公开(公告)号:CN110137298A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910526744.X

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法,其包括以下步骤:1)选取p型单晶硅衬底;2)在p-Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜,形成Ge/Si异质结底电池;3)在n-Ge薄膜上,采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层;4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结;5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池;6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结;7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池;8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层;9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层;10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜;11)制备上下表面金属电极,并完成多结太阳电池的制备。

Patent Agency Ranking