公开(公告)号：CN108807574A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810577678.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  石岱星 ,  徐甲然 ,  陶泉丽 ,  白一鸣

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/042 ,  H01L31/1804

Abstract: 一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。制备步骤包括制备p型单晶硅片；在p型单晶硅片正面制备多孔硅结构；采用磷快速热扩散方法制备p‑n结；最后制备上、下电极。本发明相较于传统晶硅电池，是将原先的两个步骤倒金字塔表面织构化和沉积减反射层简化为制作多孔硅层一个步骤，可以大幅度降低制作成本，同时多孔硅的宽带隙使得其可以作为窗口层，吸收高能量光子，提高了太阳能电池效率。