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公开(公告)号：CN108417922A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810040228.1
申请日：2018-01-16
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种从废铅酸蓄电池阳极和阴极得到醋酸铅，再以醋酸铅为铅源制备钙钛矿太阳电池的方法。所述醋酸铅的制备包括对回收的阳极和阴极材料进行脱硫处理，然后阳极脱硫物与醋酸蒸汽反应得到醋酸铅；阴极脱硫物高温烧结后得到氧化铅，之后在稀醋酸和双氧水的共同作用下，过滤重结晶得到醋酸铅晶体。明所述钙钛矿太阳电池，其结构为p-i-n型如透明导电金属氧化物层/空穴传输层/钙钛矿吸光层/电子收集层/金属电极层，或为n-i-p型如透明导电金属氧化物层/电子收集层/钙钛矿吸光层/空穴传输层/金属电极层，或透明导电金属氧化物层/致密电子收集层/多孔电子收集层/钙钛矿吸光层/空穴传输层/金属电极层。本发明在保护环境、节约资源多方面都有重要的意义。
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公开(公告)号：CN105226190B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510536105.3
申请日：2015-08-27
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池，所述平面异质结钙钛矿太阳能电池包括电子传输层，所述电子传输层是由n‑型共轭聚合物材料制备得到的。本发明的钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿材料吸收太阳光产生激子并分离出空穴和电子。本发明将PX‑PDI用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层，收集和传输电子，显著提高了器件性能。所述电子传输层的制备工艺简单，无需高温过程，成本低廉，实验重复性好，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN105470400B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510802508.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。
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公开(公告)号：CN105023921B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510338498.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高效钙钛矿‑硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS‑TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3‑己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3‑己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。
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公开(公告)号：CN104022167B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410268841.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于聚合物太阳电池材料领域，特别涉及一种醇溶性聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明通过旋涂将甲醇钽溶液加工在光电活性层或阴极层之上，形成甲醇钽膜，得到阴极修饰层。本发明将甲醇钽引入太阳能电池中取代原有活泼低功函金属，可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的聚合物太阳电池阴极修饰层的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022224A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410268785.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/424 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/441
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及一种可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述平面异质结钙钛矿太阳电池中阴极修饰层的材质为金属的乙酰丙酮螯合物膜材料。本发明将金属的乙酰丙酮螯合物引入太阳电池中可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，电流与填充因子也有相应的提高，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的钙钛矿太阳电池的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN104022167A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410268841.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/441 , H01L51/0021
Abstract: 本发明属于聚合物太阳电池材料领域，特别涉及一种醇溶性聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明通过旋涂将甲醇钽溶液加工在光电活性层或阴极层之上，形成甲醇钽膜，得到阴极修饰层。本发明将甲醇钽引入太阳能电池中取代原有活泼低功函金属，可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的聚合物太阳电池阴极修饰层的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN105023921A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510338498.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高效钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS-TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3-己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3-己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。
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公开(公告)号：CN107068869A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710270486.4
申请日：2017-04-24
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L51/4226 , H01L51/4253
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/有机集成太阳电池及其制备方法。所述的钙钛矿/有机集成太阳电池其结构自下而上包括透明电极、电荷传输层、钙钛矿光吸收层、有机光吸收层和金属电极。使用这种电池，短波长的光主要被钙钛矿层吸收利用，而长波长的光被有机光吸收层利用。制备此种集成电池能够有效地提高电池对太阳光的利用，相比于单节电池，有效提高电池对太阳光的利用。同时，相比于常用的叠层电池，钙钛矿/有机集成太阳电池中前后子电池不需要任何中间连接层，大大简化了器件的制备过程和工艺，增加了批次间的重复性，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102830325B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210297103.X
申请日：2012-08-21
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了泄漏电流检测系统设计领域的一种光电式特高压直流绝缘子泄漏电流监测系统。其技术方案是，所述系统包括光/电数据采集单元、采集单元保护模块、系统自重启装置和本地中心计算机；所述采集单元保护模块包括瞬态抑制二极管TVS和高精度采样电阻。本发明可用于±800kV特高压直流绝缘子泄漏电流多路采集，采用光纤传输泄漏电流数据，确保数据的准确可靠采集；光/电数据采集单元中的远端采集模块利用光能供电，保证了供电系统安全；采集单元安装TVS瞬态抑制二极管，有效保护采集单元。
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