-
公开(公告)号：CN103762281B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410060958.X
申请日：2014-02-24
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳电池领域的一种Ag和Au双金属纳米颗粒陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）在NaCl衬底上分别制备Ag和Au纳米颗粒；（2）将步骤1制备得到的样品浸入去离子水中，溶解衬底，离心后分别得到Ag和Au纳米颗粒；（3）将Ag和Au纳米颗粒共同溶于PEG-200胶体中，混匀；（4）采用旋涂法或者提拉法在薄膜太阳电池特定面制备得到有序排列的Ag和Au纳米颗粒阵列。本发明的制备方法重复性好，易控制，最终得到表面覆盖率为20%-40%的双金属纳米颗粒阵列，纳米颗粒消光呈现出双消光峰位，消光峰在300-700nm范围可调，该双金属纳米颗粒阵列多用于薄膜太阳电池的陷光结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023921A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510338498.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高效钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS-TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3-己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3-己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。
-
公开(公告)号：CN110534716B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910813753.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供了一种多孔氧化锰微米球及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的多孔氧化锰微米球为嵌入有H+的二氧化锰，为尖晶石晶体结构，多孔氧化锰微米球的表面具有多孔结构。本发明提供的多孔氧化锰微米球为尖晶石晶体结构的微米球，具有MnO4四面体和MnO6八面体两种基本结构单元，结构更加稳定，隧道中预先嵌入H+离子，可以有效缓解锌离子电池充放电过程中引起的正极活性材料相变，降低Zn2+离子的嵌入/脱嵌能，从而具有更高的循环寿命和倍率性能，且其表面的多孔结构提高了比表面积，作为正极材料使用时，活性物质和电解液的接触比率高，可进一步提高电化学性能。
-
公开(公告)号：CN110534716A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910813753.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供了一种多孔氧化锰微米球及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的多孔氧化锰微米球为嵌入有H+的二氧化锰，为尖晶石晶体结构，多孔氧化锰微米球的表面具有多孔结构。本发明提供的多孔氧化锰微米球为尖晶石晶体结构的微米球，具有MnO4四面体和MnO6八面体两种基本结构单元，结构更加稳定，隧道中预先嵌入H+离子，可以有效缓解锌离子电池充放电过程中引起的正极活性材料相变，降低Zn2+离子的嵌入/脱嵌能，从而具有更高的循环寿命和倍率性能，且其表面的多孔结构提高了比表面积，作为正极材料使用时，活性物质和电解液的接触比率高，可进一步提高电化学性能。
-
公开(公告)号：CN105023921B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510338498.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高效钙钛矿‑硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS‑TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3‑己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3‑己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。
-
公开(公告)号：CN103762281A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410060958.X
申请日：2014-02-24
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了属于太阳电池领域的一种Ag和Au双金属纳米颗粒陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）在NaCl衬底上分别制备Ag和Au纳米颗粒；（2）将步骤1制备得到的样品浸入去离子水中，溶解衬底，离心后分别得到Ag和Au纳米颗粒；（3）将Ag和Au纳米颗粒共同溶于PEG-200胶体中，混匀；（4）采用旋涂法或者提拉法在薄膜太阳电池特定面制备得到有序排列的Ag和Au纳米颗粒阵列。本发明的制备方法重复性好，易控制，最终得到表面覆盖率为20%-40%的双金属纳米颗粒阵列，纳米颗粒消光呈现出双消光峰位，消光峰在300-700nm范围可调，该双金属纳米颗粒阵列多用于薄膜太阳电池的陷光结构。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
