公开(公告)号：CN104022167B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410268841.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  李聪 ,  于露 ,  屈江江

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于聚合物太阳电池材料领域，特别涉及一种醇溶性聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明通过旋涂将甲醇钽溶液加工在光电活性层或阴极层之上，形成甲醇钽膜，得到阴极修饰层。本发明将甲醇钽引入太阳能电池中取代原有活泼低功函金属，可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的聚合物太阳电池阴极修饰层的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。

公开(公告)号：CN104022224A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410268785.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  李聪 ,  于露 ,  屈江江

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/424 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/441

Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及一种可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述平面异质结钙钛矿太阳电池中阴极修饰层的材质为金属的乙酰丙酮螯合物膜材料。本发明将金属的乙酰丙酮螯合物引入太阳电池中可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，电流与填充因子也有相应的提高，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的钙钛矿太阳电池的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。

公开(公告)号：CN104022167A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410268841.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  李聪 ,  于露 ,  屈江江

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L51/441 ,  H01L51/0021

Abstract: 本发明属于聚合物太阳电池材料领域，特别涉及一种醇溶性聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明通过旋涂将甲醇钽溶液加工在光电活性层或阴极层之上，形成甲醇钽膜，得到阴极修饰层。本发明将甲醇钽引入太阳能电池中取代原有活泼低功函金属，可选择性的收集电子，阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值，且具有光学间隔作用，使得内部光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的聚合物太阳电池阴极修饰层的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。

公开(公告)号：CN104022185B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410268812.4

申请日：2014-06-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  李聪 ,  侯旭亮 ,  于露 ,  屈江江

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0264

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜，PbI2膜采用溶液加工的方法制备，使得工艺简单，高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度，大大的降低了载流子在活性层界面的复合，有效提高材料的抗溶剂性能，显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。

公开(公告)号：CN104022185A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410268812.4

申请日：2014-06-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  李聪 ,  侯旭亮 ,  于露 ,  屈江江

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0264

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/424

Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜，PbI2膜采用溶液加工的方法制备，使得工艺简单，高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度，大大的降低了载流子在活性层界面的复合，有效提高材料的抗溶剂性能，显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。