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公开(公告)号：CN1247444C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200410012626.0
申请日：2004-01-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C5/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法。该方法是利用叠层原理制造具有任意曲面的三维模压刻蚀模具，然后将该三维模具对衬底上的软质材料层进行模压刻蚀，得到微系统的三维结构。该方法的关键技术三维模具的制造，是通过叠层制造的方法获得，其中每一单层的制作属于二维平面结构制造，因此与集成电路工艺完全兼容；将对准过程集中在三维模具的制作过程中一次完成，降低了模压刻蚀工艺对套刻对准需求，提高了生产效率。此外，可以使用一块三维模具对不同材料多次重复使用，进行大批量生产，进一步降低了成本。
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公开(公告)号：CN100340417C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510019944.4
申请日：2005-12-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米压印机，包括X-Y粗动工作台、找平装置、X-Y微动工作台、承片板、转动工作台；X-Y粗动工作台由二个步进电机带动，实现模板和承片板上的样品水平方向的粗定位；找平装置中的压力传感器用于压印和分离过程中，对压力进行测量和控制，控制直流伺服电机带动模板实现上、下运动；X-Y微动工作台由二个压电陶管驱动，调节模板和样品之间水平方向的精定位；转动工作台由二个步进电机驱动，分别实现模板和样品之间转角的精定位、粗定位。本发明具有优于20nm定位对准精度，能满足特征尺度在100纳米以下、多层图案的低成本、大批量的制作；能工作于冷压印和热压印两种压印模式，具有较好的灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1594067A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03156716.9
申请日：2003-09-08
Applicant: 华中科技大学机械科学与工程学院
IPC: B81C5/00
Abstract: 一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，包括以下步骤：1.在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；2.在铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，烘干；3.在硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)；4.在金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)；5.在树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；6.暴露出铝/铬层(2)；7.形成牺牲孔(9)；8.将光刻胶(3)去掉；9.在原来铝/铬(2)层的位置，溅射淀积金/铬层(7)；10.电镀金层(8)，以封住牺牲孔(9)。本发明与现有技术相比，具有不变形、封装质量高、体积减小、工艺简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN1775546A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510019944.4
申请日：2005-12-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米压印机，包括X－Y粗动工作台、找平装置、X－Y微动工作台、承片板、转动工作台；X－Y粗动工作台由二个步进电机带动，实现模板和承片板上的样品水平方向的粗定位；找平装置中的压力传感器用于压印和分离过程中，对压力进行测量和控制，控制直流伺服电机带动模板实现上、下运动；X－Y微动工作台由二个压电陶管驱动，调节模板和样品之间水平方向的精定位；转动工作台由二个步进电机驱动，分别实现模板和样品之间转角的精定位、粗定位。本发明具有优于20nm定位对准精度，能满足特征尺度在100纳米以下、多层图案的低成本、大批量的制作；能工作于冷压印和热压印两种压印模式，具有较好的灵活性。
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公开(公告)号：CN1760112A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510019857.9
申请日：2005-11-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有双微观结构的超疏水表面及其制作方法。超疏水表面的结构为，在聚合物薄膜的表面上同时存在微米级阵列和纳米级阵列，微米级阵列中微柱的长、宽、高和阵列中各微柱之间的间距为10～100μm，纳米级阵列中纳米柱的高、直径和阵列中各纳米柱之间的间距为10～100nm。本发明具有双微观结构的超疏水表面能克服微尺度下的表面效应导致的表面摩擦和粘附；能降低微流通道的沿程压力损失，增大流体的流动速度，改善流体在微流体器件中的流动特性。本发明制作具有双微观结构的超疏水表面的方法是以微加工和阳极氧化为基础，成品率较高；以纳米压印作为转移手段，模板可重复利用，容易进行大规模批量生产，降低了成本。
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公开(公告)号：CN1323025C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510019857.9
申请日：2005-11-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双微观结构的超疏水表面的制作方法。本发明制作的具有双微观结构的超疏水表面的结构为，在聚合物薄膜的表面上同时存在微米级阵列和纳米级阵列，微米级阵列中微柱的长、宽、高和阵列中各微柱之间的间距为10～100μm，纳米级阵列中纳米柱的高、直径和阵列中各纳米柱之间的间距为10～100nm。本发明制作的具有双微观结构的超疏水表面能克服微尺度下的表面效应导致的表面摩擦和粘附；能降低微流通道的沿程压力损失，增大流体的流动速度，改善流体在微流体器件中的流动特性。本发明是以微加工和阳极氧化为基础，成品率较高；以纳米压印作为转移手段，模板可重复利用，容易进行大规模批量生产，降低了成本。
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公开(公告)号：CN1556027A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200410012626.0
申请日：2004-01-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C5/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法。该方法是利用叠层原理制造具有任意曲面的三维模压刻蚀模具，然后将该三维模具对衬底上的软质材料层进行模压刻蚀，得到微系统的三维结构。该方法的关键技术三维模具的制造，是通过叠层制造的方法获得，其中每一单层的制作属于二维平面结构制造，因此与集成电路工艺完全兼容；将对准过程集中在三维模具的制作过程中一次完成，降低了模压刻蚀工艺对套刻对准需求，提高了生产效率。此外，可以使用一块三维模具对不同材料多次重复使用，进行大批量生产，进一步降低了成本。
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