公开(公告)号：CN1323025C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200510019857.9

申请日：2005-11-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张鸿海 ,  范细秋 ,  贾可 ,  马斌 ,  江小平 ,  刘胜 ,  甘志银 ,  汪学方

IPC: B81B7/00 ,  B82B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种双微观结构的超疏水表面的制作方法。本发明制作的具有双微观结构的超疏水表面的结构为，在聚合物薄膜的表面上同时存在微米级阵列和纳米级阵列，微米级阵列中微柱的长、宽、高和阵列中各微柱之间的间距为10～100μm，纳米级阵列中纳米柱的高、直径和阵列中各纳米柱之间的间距为10～100nm。本发明制作的具有双微观结构的超疏水表面能克服微尺度下的表面效应导致的表面摩擦和粘附；能降低微流通道的沿程压力损失，增大流体的流动速度，改善流体在微流体器件中的流动特性。本发明是以微加工和阳极氧化为基础，成品率较高；以纳米压印作为转移手段，模板可重复利用，容易进行大规模批量生产，降低了成本。

公开(公告)号：CN1760112A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510019857.9

申请日：2005-11-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张鸿海 ,  范细秋 ,  贾可 ,  马斌 ,  江小平 ,  刘胜 ,  甘志银 ,  汪学方

IPC: B81B7/00 ,  B82B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种具有双微观结构的超疏水表面及其制作方法。超疏水表面的结构为，在聚合物薄膜的表面上同时存在微米级阵列和纳米级阵列，微米级阵列中微柱的长、宽、高和阵列中各微柱之间的间距为10～100μm，纳米级阵列中纳米柱的高、直径和阵列中各纳米柱之间的间距为10～100nm。本发明具有双微观结构的超疏水表面能克服微尺度下的表面效应导致的表面摩擦和粘附；能降低微流通道的沿程压力损失，增大流体的流动速度，改善流体在微流体器件中的流动特性。本发明制作具有双微观结构的超疏水表面的方法是以微加工和阳极氧化为基础，成品率较高；以纳米压印作为转移手段，模板可重复利用，容易进行大规模批量生产，降低了成本。