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公开(公告)号：CN110717201B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910866396.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/75
Abstract: 本发明公开了一种抗简单功耗分析攻击的高斯采样电路，包括：控制模块、随机数产生模块、二分比较模块、第一单口RAM、采样结果输出模块以及功耗信息掩盖模块；控制模块用于控制电路的状态转移和使能；随机数产生模块通过移位寄存器产生均匀分布的随机数；二分比较模块采用二分搜索算法定位随机数在具有高斯分布的分布累积函数表中的地址；采样结果输出模块将所定位的地址进行取模操作形成采样输出；功耗信息掩盖模块通过二分搜索随机数在伪分布累积函数表中的地址来产生随机功耗。本发明的电路能够有效掩盖采样过程的功耗信息，实现抵抗选择输入简单攻击分析的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109656477B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811508222.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于STT‑MRAM的非接触式智能卡SoC，包括：桥接的AHB和APB，与AHB相连的CPU、存储器和加密协处理器，以及与APB相连的数字基带控制器、UART串口和CRG模块；其特征在于，存储器为STT‑MRAM存储器，且其存储空间被划分为：第一存储区，用于固化启动程序；第二存储区，用于存储COS程序；第三存储区，用于存储程序运行时的临时变量；以及第四存储区，用于存储用户数据；存储器还包括译码保护电路；译码保护电路用于在系统启动后阻止对第一存储区和第二存储区的写操作。本发明能够降低非接触式智能卡SoC内的数据交互延时，并实现安全级别、功耗和性能的动态平衡。
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公开(公告)号：CN109637568A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811455850.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673
Abstract: 本发明公开了一种对称参考单元型的读操作方法及读电路，采用了两个阻值分别为RL和RH的参考单元作为数据比较的依据。正负反馈相结合的结构在保证整体电路稳定的前提下有效增加了读电路的读出范围，提高了读操作的可靠性。蒙特卡洛仿真结果显示，当数据支路的MTJ为高阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：440.318～514.61mV，445.649～506.16mV，180.927～275.014mV；当数据支路的MTJ为低阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：271.142～389.693mV，256.649～399.283mV，444.124～512.517mV。通过本发明可以在读电流值较小的前提下大幅度增加了读电路的读出范围，可有效提高读操作的可靠性。
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公开(公告)号：CN109637568B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811455850.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种对称参考单元型的读操作方法及读电路，采用了两个阻值分别为RL和RH的参考单元作为数据比较的依据。正负反馈相结合的结构在保证整体电路稳定的前提下有效增加了读电路的读出范围，提高了读操作的可靠性。蒙特卡洛仿真结果显示，当数据支路的MTJ为高阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：440.318～514.61mV，445.649～506.16mV，180.927～275.014mV；当数据支路的MTJ为低阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：271.142～389.693mV，256.649～399.283mV，444.124～512.517mV。通过本发明可以在读电流值较小的前提下大幅度增加了读电路的读出范围，可有效提高读操作的可靠性。
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公开(公告)号：CN110717201A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910866396.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/75
Abstract: 本发明公开了一种抗简单功耗分析攻击的高斯采样电路，包括：控制模块、随机数产生模块、二分比较模块、第一单口RAM、采样结果输出模块以及功耗信息掩盖模块；控制模块用于控制电路的状态转移和使能；随机数产生模块通过移位寄存器产生均匀分布的随机数；二分比较模块采用二分搜索算法定位随机数在具有高斯分布的分布累积函数表中的地址；采样结果输出模块将所定位的地址进行取模操作形成采样输出；功耗信息掩盖模块通过二分搜索随机数在伪分布累积函数表中的地址来产生随机功耗。本发明的电路能够有效掩盖采样过程的功耗信息，实现抵抗选择输入简单攻击分析的特性。
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公开(公告)号：CN109656477A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811508222.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于STT-MRAM的非接触式智能卡SoC，包括：桥接的AHB和APB，与AHB相连的CPU、存储器和加密协处理器，以及与APB相连的数字基带控制器、UART串口和CRG模块；其特征在于，存储器为STT-MRAM存储器，且其存储空间被划分为：第一存储区，用于固化启动程序；第二存储区，用于存储COS程序；第三存储区，用于存储程序运行时的临时变量；以及第四存储区，用于存储用户数据；存储器还包括译码保护电路；译码保护电路用于在系统启动后阻止对第一存储区和第二存储区的写操作。本发明能够降低非接触式智能卡SoC内的数据交互延时，并实现安全级别、功耗和性能的动态平衡。
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