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公开(公告)号：CN109637568A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811455850.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673
Abstract: 本发明公开了一种对称参考单元型的读操作方法及读电路，采用了两个阻值分别为RL和RH的参考单元作为数据比较的依据。正负反馈相结合的结构在保证整体电路稳定的前提下有效增加了读电路的读出范围，提高了读操作的可靠性。蒙特卡洛仿真结果显示，当数据支路的MTJ为高阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：440.318～514.61mV，445.649～506.16mV，180.927～275.014mV；当数据支路的MTJ为低阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：271.142～389.693mV，256.649～399.283mV，444.124～512.517mV。通过本发明可以在读电流值较小的前提下大幅度增加了读电路的读出范围，可有效提高读操作的可靠性。
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公开(公告)号：CN110993001A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911077925.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 华中科技大学 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法，属于存储器STT-MRAM电路设计领域，包括：写操作执行电路，其两个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN和连接至自检控制电路的输出端，其两个输出端分别与存储单元的BL端和SL端相连，用于根据控制信号开启或关闭写操作通路，并根据给存储单元提供写电流以写入数据；自检控制电路，其六个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN、信号写使能信号WR_en、启动信号PRE_en以及与存储单元的BL端和SL端相连，用于在写操作启动阶段产生开启写操作通路的控制信号，在写操作执行阶段检测存储单元的BL端或SL端的电压，以在存储单元达到预期状态时产生关闭写操作通路的控制信号。本发明能够缩短STT-MRAM存储单元的写脉冲时间。
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公开(公告)号：CN110993001B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911077925.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 华中科技大学 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种STT‑MRAM的双端自检写电路及数据写入方法，属于存储器STT‑MRAM电路设计领域，包括：写操作执行电路，其两个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN和连接至自检控制电路的输出端，其两个输出端分别与存储单元的BL端和SL端相连，用于根据控制信号开启或关闭写操作通路，并根据给存储单元提供写电流以写入数据；自检控制电路，其六个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN、信号写使能信号WR_en、启动信号PRE_en以及与存储单元的BL端和SL端相连，用于在写操作启动阶段产生开启写操作通路的控制信号，在写操作执行阶段检测存储单元的BL端或SL端的电压，以在存储单元达到预期状态时产生关闭写操作通路的控制信号。本发明能够缩短STT‑MRAM存储单元的写脉冲时间。
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公开(公告)号：CN109637568B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811455850.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种对称参考单元型的读操作方法及读电路，采用了两个阻值分别为RL和RH的参考单元作为数据比较的依据。正负反馈相结合的结构在保证整体电路稳定的前提下有效增加了读电路的读出范围，提高了读操作的可靠性。蒙特卡洛仿真结果显示，当数据支路的MTJ为高阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：440.318～514.61mV，445.649～506.16mV，180.927～275.014mV；当数据支路的MTJ为低阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：271.142～389.693mV，256.649～399.283mV，444.124～512.517mV。通过本发明可以在读电流值较小的前提下大幅度增加了读电路的读出范围，可有效提高读操作的可靠性。
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