公开(公告)号：CN107579123A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710772508.7

申请日：2017-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  张军 ,  李登兵 ,  牛广达

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于光电子材料与器件领域，公开了一种基于界面阻挡层的硒化锑薄膜太阳能电池，包括从下至上依次排列的玻璃基底、透明导电氧化物层、N型层、界面阻挡层、硒化锑吸光活性层、电极；其中，界面阻挡层为Al2O3层、ZrO2层或SiO2层。本发明还公开了上述电池的制备方法，采用原子层沉积技术，在PN结界面处沉积0.1～2nm的ZrO2、Al2O3或SiO2薄膜。由于该薄膜材料具有、高介电常数的特点，从而能够阻挡硒化锑活性层和N型电子收集层之间的相互离子扩散，提高异质结质量和器件稳定性，解决一维链状结构的硒化锑薄膜太阳能电池异质结界面离子扩散的问题，能够显著提高太阳能电池的稳定性。

公开(公告)号：CN106920863B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710169743.5

申请日：2017-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  赵洋 ,  牛广达 ,  王亮 ,  李登兵 ,  陈超 ,  李康华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN106910797B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710176171.3

申请日：2017-03-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  李康华 ,  牛广达 ,  王亮 ,  李登兵 ,  陈超 ,  赵洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向；当氧化锌基底为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备，得到相应的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，与现有技术相比，能够对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，同时不依赖于硒化锑的沉积的基底温度。

公开(公告)号：CN106920863A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710169743.5

申请日：2017-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  赵洋 ,  牛广达 ,  王亮 ,  李登兵 ,  陈超 ,  李康华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN106910797A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710176171.3

申请日：2017-03-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  李康华 ,  牛广达 ,  王亮 ,  李登兵 ,  陈超 ,  赵洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向；当氧化锌基底为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备，得到相应的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，与现有技术相比，能够对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，同时不依赖于硒化锑的沉积的基底温度。