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公开(公告)号：CN117232430A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311088537.3
申请日：2023-08-28
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明属于相位成像相关技术领域，并公开了一种基于定量相位显微成像的纳米结构三维形貌测量系统与方法。该测量系统包括光源滤波模块、可切换待测模块、显微镜模块、马赫‑曾德尔干涉仪模块和成像模块，其中，光源滤波模块用于产生分布均匀的高斯光束，可切换待测模块中包括两条并联的光路，分别用于将光线照射在可透射或不可透射的待测样品表面；显微镜模块用于将待测样品透射或反射的光进行显微放大；马赫‑曾德尔干涉仪模块用于将来自显微镜模块的光束分束，然后两束光产生干涉后合束进入成像模块中成像，以此获得由待测样品表面三维形貌形成的干涉图像；通过本发明，解决三维形貌测量过程成像模式单一，光路复杂的问题。
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公开(公告)号：CN101293628B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200810047229.5
申请日：2008-04-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C5/00
Abstract: 本发明提供了一种三维微型模具的制造方法，在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形，将质量百分比98％的H2SO4与质量百分比30％的H2O2按照体积比2～4∶1混合，采用此混合溶液对各硅片进行清洗，然后活化，再将活化后的硅片干燥，按层次迅速对准贴合，最后进行退火处理得到三维微型模具型腔。本发明能够制造出微米尺度的三维微型模具，具有精度高，成本低，柔性大的优点，适用于微齿轮轴、微阶梯轴、高深宽比三维微型结构等微机电系统(MEMS)器件模具的加工制造。
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公开(公告)号：CN101293628A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810047229.5
申请日：2008-04-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C5/00
Abstract: 本发明提供了一种三维微型模具的制造方法，在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形，将质量百分比98％的H2SO4与质量百分比30％的H2O2按照体积比2～4∶1混合，采用此混合溶液对各硅片进行清洗，然后活化，再将活化后的硅片干燥，按层次迅速对准贴合，最后进行退火处理得到三维微型模具型腔。本发明能够制造出微米尺度的三维微型模具，具有精度高，成本低，柔性大的优点，适用于微齿轮轴、微阶梯轴、高深宽比三维微型结构等微机电系统(MEMS)器件模具的加工制造。
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公开(公告)号：CN1710705A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510019052.4
申请日：2005-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C23F1/26
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Cr膜，Cr膜厚度为50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH4)2Ce(NO3)5溶液中对Cr掩模层进行刻蚀，(NH4)2Ce(NO3)5溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH4)2Ce(NO3)5刻蚀液，去除硅片上的Cr掩膜层。由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩模在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
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公开(公告)号：CN116500755A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310455002.9
申请日：2023-04-25
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，其公开了一种光谱共焦测量镜头及光谱共焦传感器，其中测量镜头包括从像方至物方依次排列设置的第一透镜组、第二透镜组和第三透镜组；所述第一透镜组的焦距为正，所述第二透镜组的焦距为正，所述第三透镜组的焦距为负。本发明通过从像方至物方依次沿光轴设置焦距为正的第一透镜组、焦距为正的第二透镜组以及焦距为负的第三透镜组，整体采用正光焦度镜组在前、负光焦度镜组在后的摄远物镜结构，有利于得到大的色散范围，同时在正光焦度镜组中通过两组焦距分别为正的第一透镜组和第二透镜组，能够分担正光焦度从而减小球差，最终得到具有较好色散线性度，同时色散范围大且球差校正良好的色散物镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102731981B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210179021.5
申请日：2012-06-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及两种不同分子量大小的可生物降解性星形聚乙丙交酯（PLGA）-聚乙二醇单甲醚（mPEG）共聚物以不同比例混合而成的水凝胶。一种为PLGA嵌段质量分数在40%至66.6%的星形PLGA-mPEG共聚物，另一种为PLGA嵌段质量分数在75%至90%的星形PLGA-mPEG共聚物，将两者不具备温敏性的共聚物以不同比例混合，该共聚物混合物溶液在室温或室温以下以可自由流动的液态存在，在人体温度下快速转变为不可流动的乳白色物理交联水凝胶，表现为可逆溶胶-凝胶转变行为；或者将PLGA嵌段质量分数在66.6-75%之间的两种具有温敏性的星形共聚物以任意比例混合，该共聚物混合物溶液也具有溶胶-凝胶转变行为。该阴道凝胶可应用于药物释放、细胞培养与组织工程领域。
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公开(公告)号：CN101813638B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010160537.6
申请日：2010-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供了一种热和超声激励的芯片焊点缺陷在线检测方法及装置，其方法是采用红外非接触方式对被测芯片或基底表面进行均匀加热，同时施加超声激励，使芯片产生振动以改变缺陷处热阻属性，然后通过红外热像仪测量芯片或基底表面温度，并对热图像进行特征提取和分析，结合实现芯片焊点缺陷辨识和定位。其装置主要包括真空吸附式三维移动平台、红外加热模块、超声激振模块、热图像处理模块、缺陷标记模块、系统控制模块。本发明提供的方法及装置可对芯片焊点缺陷进行有效检测，具有实时、非接触、无破坏性的特点，适用于焊球阵列(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)和倒装芯片(FC)等高密度电子封装工艺的焊点缺陷检测。
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公开(公告)号：CN101475135A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910060555.4
申请日：2009-01-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种高深宽比碳微机电器件的制备方法，属于碳微结构器件的制备方法，解决现有方法制备的高深宽比微机电器件工艺复杂、成本高且易与基片脱附的问题。本发明包括：(1)准备步骤；(2)基片刻蚀步骤；(3)预处理步骤；(4)匀胶步骤；(5)曝光步骤；(6)显影步骤；(7)热解步骤。本发明将厚胶光刻与热解相结合，制得高深宽比的碳微机电器件，运用于微机电系统中，具有工艺简便、图形精细、结构牢固、对设备没有特殊的要求，成本低的特点，制得的器件与基片结合强度高，使用寿命长，可作为微电极应用于微型电池、生物芯片、微型电化学传感器等MEMS领域中。
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公开(公告)号：CN100383932C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510019052.4
申请日：2005-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C23F1/26
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Cr掩膜，Cr掩膜厚度为50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH4)2Ce(NO3)5溶液中对Cr掩膜进行刻蚀，(NH4)2Ce(NO3)5溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH4)2Ce(NO3)5刻蚀液，去除硅片上的Cr掩膜。由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩膜在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
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公开(公告)号：CN116735157A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310485619.5
申请日：2023-04-28
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种空间光调制器相位调制性能测试方法及系统，属于空间光调制器的测量领域，包括：S1、生成一幅灰度值在0‑255灰度区间内呈均匀梯度变化的灰度图像；S2、将所述灰度图像加载在待测空间光调制器上，并将待测空间光调制器的灰度值调制区间调制到0‑255，用所述灰度图像驱动待测空间光调制器对给定入射波长下的波前进行相位调制；S3、将相位调制后的波前衍射后分成多束衍射光束，所述多束衍射光束相干叠加，形成横向剪切干涉图；S4、采集所述横向剪切干涉图，并进行波前重构得到波前图；对所述波前图进行相位分布数据提取，得到待测空间光调制器的灰度‑相位调制曲线。本发明具有测量精度高、测量系统结构简单、抗干扰性强、速度快等优点。
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