-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100573821C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810047324.5
申请日：2008-04-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为100～400nm，短波长光照射光强为5～30mW/cm2，活化时间为0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有明显优势。
-
公开(公告)号：CN101261931A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810047324.5
申请日：2008-04-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为100～400nm，短波长光照射光强为5～30mW/cm2，活化时间为0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有明显优势。
-
公开(公告)号：CN101050066A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710052170.4
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种硅/玻璃激光局部键合方法，属于晶圆键合技术，目的在于使特定区域局部高温，实现键合，并具有高的键合强度，晶圆或器件整体上处于较低温度，不产生不必要的温度梯度和应力场分布，以避免已经集成的压力、温度等传感器件的性能受到影响。本发明顺序包括：(1)清洗步骤；(2)一次活化步骤；(3)二次活化步骤；(4)预键合步骤；(5)激光加热步骤。经过表面活化处理后玻璃和硅片结合紧密，无需外压力作用就能实现硅和玻璃的激光局部键合。本发明所需设备简单，且在局部温度控制及键合效率上有明显优势。
-
公开(公告)号：CN100383932C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510019052.4
申请日：2005-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C23F1/26
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Cr掩膜，Cr掩膜厚度为50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH4)2Ce(NO3)5溶液中对Cr掩膜进行刻蚀，(NH4)2Ce(NO3)5溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH4)2Ce(NO3)5刻蚀液，去除硅片上的Cr掩膜。由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩膜在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
-
公开(公告)号：CN1710705A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510019052.4
申请日：2005-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C23F1/26
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Cr膜，Cr膜厚度为50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH4)2Ce(NO3)5溶液中对Cr掩模层进行刻蚀，(NH4)2Ce(NO3)5溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH4)2Ce(NO3)5刻蚀液，去除硅片上的Cr掩膜层。由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩模在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
