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公开(公告)号：CN113465887B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110705702.X
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种发光器件激子特性参数反演方法及装置，属于发光器件领域，方法包括：构建基于发光器件TM/TE偏振态远场视角光谱、激子特性参数以及ETL膜层厚度的正向模型；调整正向模型中ETL膜层厚度，筛选出对激子分布函数敏感的第一ETL膜层厚度集；基于实际测量的TE偏振态远场视角光谱与基于最终ETL膜层厚度获取的理论TE偏振态远场视角光谱，结合线性拟合方法与非线性拟合方法，获取发光器件最终的激子分布函数；基于最终的激子分布函数和实际测量的TE偏振态远场视角光谱，采用最小二乘法反演得到激子取向参数。本发明无需提前获取激子分布初始形貌，实现了发光器件特性参数的准确、鲁棒性良好地反演。
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公开(公告)号：CN112179874B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011047182.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电测量相关技术领域，其公开了一种发光材料激子取向的测量方法及装置，所述方法包括以下步骤：(1)构建发光材料分辨光致发光谱的正向发光计算模型，所述正向发光计算模型首先将激子跃迁的量子力学描述等效为微腔结构中电偶极子辐射的经典电磁理论描述，然后基于电偶激子辐射模型及微腔相干模型，并采用传输矩阵形式，利用菲涅尔系数在所有涉及的界面上进行传输及反射以求解出电磁场，进而得到发光材料角分辨的出射光谱；(2)采用发光材料激子取向的测量装置测量材料的角分辨光谱，基于测量得到的角分辨光谱，结合正向发光计算模型进行逆向反演以得到材料的分子取向。本发明能对掺杂材料体系的分子取向进行准确测量与表征。
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公开(公告)号：CN112487623A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011321669.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20 , H01L27/32 , G06F111/06
Abstract: 本发明属于OLED器件相关技术领域，其公开了一种OLED器件多个目标协同优化方法，该方法首先分别获取多个目标与OLED器件膜层的厚度矩阵的关系式；然后分别获取多个关系式与其对应的预设目标期望值的偏差，并建立多个偏差的联合函数以获取联合优化函数；接着改变联合优化函数中膜层厚度矩阵中的第k个膜层的厚度，分别获取多个膜层厚度的全局灵敏度函数；最后改变全局灵敏度函数中的膜层厚度计算对应的灵敏度函数值，将灵敏度函数值大于预设值的膜层作为待优化层，联合调节待优化层的膜层厚度使得联合优化函数达到极值或常数最大值，即可获得膜层厚度优化后的OLED器件。本申请从多维度对OLED器件的厚度进行优化，获得各方面性能均较优的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113465887A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110705702.X
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种发光器件激子特性参数反演方法及装置，属于发光器件领域，方法包括：构建基于发光器件TM/TE偏振态远场视角光谱、激子特性参数以及ETL膜层厚度的正向模型；调整正向模型中ETL膜层厚度，筛选出对激子分布函数敏感的第一ETL膜层厚度集；基于实际测量的TE偏振态远场视角光谱与基于最终ETL膜层厚度获取的理论TE偏振态远场视角光谱，结合线性拟合方法与非线性拟合方法，获取发光器件最终的激子分布函数；基于最终的激子分布函数和实际测量的TE偏振态远场视角光谱，采用最小二乘法反演得到激子取向参数。本发明无需提前获取激子分布初始形貌，实现了发光器件特性参数的准确、鲁棒性良好地反演。
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公开(公告)号：CN112179874A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011047182.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电测量相关技术领域，其公开了一种发光材料激子取向的测量方法及装置，所述方法包括以下步骤：(1)构建发光材料分辨光致发光谱的正向发光计算模型，所述正向发光计算模型首先将激子跃迁的量子力学描述等效为微腔结构中电偶极子辐射的经典电磁理论描述，然后基于电偶激子辐射模型及微腔相干模型，并采用传输矩阵形式，利用菲涅尔系数在所有涉及的界面上进行传输及反射以求解出电磁场，进而得到发光材料角分辨的出射光谱；(2)采用发光材料激子取向的测量装置测量材料的角分辨光谱，基于测量得到的角分辨光谱，结合正向发光计算模型进行逆向反演以得到材料的分子取向。本发明能对掺杂材料体系的分子取向进行准确测量与表征。
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公开(公告)号：CN108287944B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201711482348.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/398 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种OLED结构优化设计方法及设备，属于OLED领域。该方法包括如下步骤：步骤1：确定OLED工作波长λ，OLED各层材料的光学常数，OLED各层材料的厚度设计初值，OLED中各向异性材料的主轴方位角θ、ψ；步骤2：根据步骤1确定的各个参数建立OLED的多膜层堆叠光学模型，并调整阴极、阴极修饰层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极以及基底中待优化的结构层的厚度，进行仿真实验，获得OLED在不同结构厚度时的外耦合效率，从而确定外耦合效率最高的结构厚度。该设备用于执行上述方法。本发明可以实现对OLED结构尺寸的仿真优化计算，原理简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN112487623B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011321669.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20 , H01L27/32 , G06F111/06
Abstract: 本发明属于OLED器件相关技术领域，其公开了一种OLED器件多个目标协同优化方法，该方法首先分别获取多个目标与OLED器件膜层的厚度矩阵的关系式；然后分别获取多个关系式与其对应的预设目标期望值的偏差，并建立多个偏差的联合函数以获取联合优化函数；接着改变联合优化函数中膜层厚度矩阵中的第k个膜层的厚度，分别获取多个膜层厚度的全局灵敏度函数；最后改变全局灵敏度函数中的膜层厚度计算对应的灵敏度函数值，将灵敏度函数值大于预设值的膜层作为待优化层，联合调节待优化层的膜层厚度使得联合优化函数达到极值或常数最大值，即可获得膜层厚度优化后的OLED器件。本申请从多维度对OLED器件的厚度进行优化，获得各方面性能均较优的器件。
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公开(公告)号：CN108287944A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711482348.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种OLED结构优化设计方法及设备，属于OLED领域。该方法包括如下步骤：步骤1：确定OLED工作波长λ，OLED各层材料的光学常数，OLED各层材料的厚度设计初值，OLED中各向异性材料的主轴方位角 θ、ψ；步骤2：根据步骤1确定的各个参数建立OLED的多膜层堆叠光学模型，并调整阴极、阴极修饰层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极以及基底中待优化的结构层的厚度，进行仿真实验，获得OLED在不同结构厚度时的外耦合效率，从而确定外耦合效率最高的结构厚度。该设备用于执行上述方法。本发明可以实现对OLED结构尺寸的仿真优化计算，原理简单，容易操作。
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