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公开(公告)号：CN119689777A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510166374.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于光刻掩模优化领域，具体公开了一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统。通过本申请，借助于伴随方法，将掩模吸收层的衍射场在空间上展开，避免了电场之间的强干涉和波动，从而可以使用三维衍射场的一个二维切片计算梯度，此时不必保存整个三维衍射场，仅需保存几个二维切片，因此，极大节省了计算资源。同时，本申请对各步骤具体使用的算法无限定要求，实现算法的解耦。
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公开(公告)号：CN118096942B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410209060.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体公开了一种晶圆检测配置参数的优化方法及装置，方法包括：将照明光瞳和收集光瞳的图形分别栅格化，得到第一二维分布矩阵和第二二维分布矩阵；基于偏振照明的方式和第一二维分布矩阵，确定照明光瞳的光源点信息；建立目标缺陷类型的无缺陷结构模型和缺陷结构模型，结合光源点信息求解照明光瞳的无缺陷近场分布集合和缺陷近场分布集合；初始化明场显微成像模型，计算无缺陷晶圆的第一空间像和缺陷晶圆的第二空间像；基于第一空间像和第二空间像，确定评价指标和评价函数；基于选定的优化对象和优化方式执行迭代优化流程，更新优化对象的变量矩阵；当更新后的评价指标满足迭代条件时，输出优化后的优化对象。
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公开(公告)号：CN117724290A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410040238.0
申请日：2024-01-10
Abstract: 本发明属于极紫外光刻掩模领域，具体涉及一种极紫外光刻掩模含缺陷多层膜散射近场的快速仿真方法，该极紫外光刻掩模的构成沿入射光方向依次包括含缺陷多层膜和基底，基底上含有高斯型缺陷，含缺陷多层膜采用网格划分法和传输矩阵法建模，包括如下步骤：S1：将含缺陷多层膜沿水平方向划分为多个多层膜子区域；S2：将每个多层膜子区域分别在x、y方向上离散为一组方形单元网格；S3：用传输矩阵法计算每个多层膜子区域中所有单元网格的解析反射系数与透射系数，得到多层膜子区域的局部反射场和透射场；S4：将每个多层膜子区域的反射场相加，得到含缺陷多层膜的总反射场。本发明具有提高了含缺陷多层膜散射近场的仿真速度和计算准确度的效果。
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公开(公告)号：CN117289555A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311161823.8
申请日：2023-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统，包括：基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布，以确定各个光源点的掩模近场；其中，对于第一个计算的光源点，电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，电场分布的初值为与其他光源点相近的光源点对应的电场分布。本发明了实现部分相干光源的极紫外光刻掩模近场计算的加速，节省了计算时间和计算资源。
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公开(公告)号：CN117233147A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311198277.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明提供了一种宽光谱部分相干衍射计算成像方法及系统，属于相干衍射计算成像技术领域，方法包括：将宽光谱光束入射至待测样品，根据单色光束对应衍射光谱点扩散传输矩阵和待测样品下夫琅禾费衍射远场宽光谱部分相干衍射光强分布，建立宽光谱衍射图像单色化矩阵方程，求出单色化衍射光强分布；将单色化衍射光强分布代入相干衍射计算成像算法中，输出相干衍射计算成像的重构结果。本发明抑制宽光谱衍射带来的退相干现象，提升宽光谱部分相干衍射计算成像质量和收敛鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116974065A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310905563.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明提供了一种高数值孔径衍射光场曲率校正方法及系统，属于衍射光场传播领域，该方法为：建立高数值孔径曲率校正模型，根据其对采集到的光强进行修正，以获得高数值孔径下的校正光强；将探测器观测平面的坐标修正到高数值孔径曲率校正模型中，并将高数值孔径下的校正光强插值到均匀坐标系下，以此得到高数值孔径下均匀坐标系的校正光强。本发明针对高数值孔径情况建立了高数值孔径曲率校正模型，并利用其对光强进行校正，同时结合插值处理以实现衍射场的精确计算，进而实现高数值孔径下光场的校正，适用于样品与相机之间距离过小的特殊情况。
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公开(公告)号：CN115470644A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211159829.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，并具体公开了一种跨尺度光电器件快速光学仿真方法和系统，其包括：S1、根据光电器件各膜层区域的尺寸划分功能层和非功能层；S2、对功能层，判断其复杂特征类型，采用相应的物理光学仿真方法处理复杂特征，得到界面处的光学特性；S3、根据光电器件的功能判断该光电器件是有源器件还是无源器件，进而确定光源特性；S4、根据光源特性以及界面处的光学特性，并对非功能层采用几何光学仿真方法，计算整个光电器件的光学特性参数，完成对光电器件的快速光学仿真。本发明针对实际三维跨尺度光电器件中可能存在的复杂特征建立了快速光学模拟方法，能够反映器件光学性能的变化规律及趋势。
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公开(公告)号：CN114002191A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111271408.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/47 , G01N21/956 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻缺陷检测装置，属于光刻缺陷检测领域，包括：相干光源、运动台和光强探测器；相干光源采用与光刻同波长的相干光源，可识别与光刻工艺同敏感度的光刻缺陷信息；相干光源照射运动台上的待测样品进而形成照明光路具备两种照明形式：透射式照明光路和反射式照明光路；具体照明光路选择由照明光源波长、待测样品物理结构之间光学特性确定；运动台带动待测样品在三维方向上运动；光强探测器用于采集相干光源入射待测样品后产生的衍射光强信号；利用叠层衍射算法对衍射光强信号进行处理获取待测样品的光刻缺陷信息。本发明能够实现半导体前道工艺光刻掩模、晶圆等缺陷高精度、高效率、高正确率的检测。
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公开(公告)号：CN113740269A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010470128.X
申请日：2020-05-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，并公开了一种高压光谱椭偏测量装置及测量方法。该装置包括入射起偏光路、反射检偏光路和装夹单元，入射起偏光路中设置有第一微透镜，用于将直径为毫米级的平行光束汇聚成直径为微米级的光斑并照射在待测样品表面；反射检偏光路中设置有第二微透镜，用于将装夹单元中待测样品表面反射的光线准直为平行反射光；装夹单元中设置有高压加载模块，该高压加载模块中包括相对设置的金刚石压砧，测量过程中，待测样品装夹在相对设置的金刚石压砧之间，通过金刚石压砧在待测样品上施加不同的压力，改变待测样品的受力状态，以此改变反射光的偏振态信息。通过本发明，实现待测样品压强依赖性光学常数的准确获取。
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公开(公告)号：CN110567882B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910757724.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于二维材料测量领域，并具体公开了一种二维材料复光导率确定方法，其首先根据电磁波在待测二维材料中的传播效应确定对应的计算方式；对于传播效应弱的二维材料，将其等效为无限薄片层，将二维材料椭偏参数用其复光导率进行表示，从而拟合提取得到二维材料的复光导率；对于电磁波传播效应强的材料，先确定其介电函数或复折射率，然后借助介电函数或复折射率与复光导率间的转换关系确定二维材料的复光导率。该方法全面系统，操作流程清晰明了，充分考虑二维材料光电响应机理，分析结果准确可靠，适用于各种二维材料复光导率的确定。
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