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公开(公告)号:CN113092369A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110306239.1
申请日:2021-03-23
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开一种用于监测血液凝固动态过程的光学装置及方法,包括:激光经透镜聚焦照射在样品池内的微量全血上,经待测血液样品散射后的散射光所形成的动态激光强度散斑图像序列由相机收集并传输给计算机进行数据处理。将获取的凝血过程中不同时刻的激光散斑图序列进行拉盖尔高斯变换等数学变换,得到散斑的伪相位图,通过追踪伪相位图中光学涡旋的运动,获得光学涡旋的运动轨迹,通过计算得到光学涡旋的平均位移,通过绘制光学涡旋位移随凝血时间变化的曲线,获得表征待测血液样品的凝血过程动态特性的各凝血指标,包括但不限于凝血开始时间,凝血活化时间,凝血血栓强度。
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公开(公告)号:CN112748042A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202011577998.3
申请日:2020-12-28
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N11/00
Abstract: 本发明公开了一种表征软物质粘弹性的光学微流变的装置及方法,激光光源产生的相干光经透镜聚焦照射在样品池内的待测样品上,待测样品散射后的散射光所形成的动态激光强度散斑图像序列由相机收集并传输给计算机进行处理。将获取的不同时刻的待测材料散斑光强度图进行数学变换,得到散斑的伪相位图,由伪相位图可以获得光学涡旋位置信息。通过追踪光学涡旋的随机运动,计算获得不同时刻光学涡旋的在单位时间的均方位移的统计信息,通过待测材料的粘弹特性同涡旋点均方位移的对应关系,从而最终获得表征待测材料的粘弹特性信息。本发明测量系统简单,仅需微量样品,不需要追踪样品中的颗粒运动,能够获得传统流变仪无法获得的高频响应。
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公开(公告)号:CN117219785A
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202311293470.7
申请日:2023-09-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/70 , H01M4/66 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及无负极锂金属电池领域,更具体地,公开了一种液态金属/聚合物复合三维集流体及其快速制备方法,其包括如下步骤:S1、采用增材制造技术,利用复合粉末按照构建的三维模型打印出柔性的聚合物基底;S2、对聚合物基底进行湿润处理;S3、对聚合物基底表面进行改性;S4、将液态金属进行氧化,转印至聚合物基底表面;S5、将附着液态金属表面涂层的聚合物基底与锂片组装半电池,施加电流使液态金属表面原位沉积锂。该方法将增材制造与三维转印技术相结合,制得具有良好柔性及较轻质量的聚合物基负极集流体,其兼具规则孔隙结构及亲锂性液态金属涂层,可协同促进锂的均匀沉积及致密化生长,从而解决锂金属电池中枝晶生长和体积变化等问题。
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公开(公告)号:CN114188536A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111289382.0
申请日:2021-11-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/62 , H01M10/0525 , C08G83/00
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域,并具体公开了一种MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料及其制备方法,其包括如下步骤:S1、室温下,将锂离子电池正极颗粒加入2,5‑二羟基对苯二甲酸溶液中得到混合液,其中2,5‑二羟基对苯二甲酸中上的羟基与锂离子电池正极颗粒上的残碱结合,形成被2,5‑二羟基对苯二甲酸包覆的锂离子电池正极颗粒;S2、将金属盐加入所述混合液中,包覆在锂离子电池正极颗粒上的2,5‑二羟基对苯二甲酸与金属离子反应生成MOF,从而得到MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料。通过本发明的制备方法可得到MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料,其具有高的比容量,好的倍率性能以及稳定的循环性能。
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公开(公告)号:CN107144703B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201710319285.9
申请日:2017-05-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P5/22
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子图像测速的嵌入式图像采集与处理系统及方法,该系统包括分光相机和嵌入式图像采集处理模块,分光相机中的两个CCD相机分时曝光采集粒子图像,并将粒子图像传输到图像采集处理板卡中;嵌入式图像采集处理模块包括图像预处理子模块和图像采集时间预测子模块,其中图像预处理子模块完成图像预处理,图像采集时间预测子模块基于FFT的改进的互相关算法完成粒子流场测速的互相关算法计算,并对速度场进行预测然后计算图像采集时间间隔,并将时间间隔发送至分光相机中以实现所述两个CCD相机的曝光时间间隔的控制。本发明能够提高互相关峰值的精确度,提高计算精度,性能高,便于携带,适合各种场合的粒子流场测速。
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公开(公告)号:CN111934020B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202010676638.2
申请日:2020-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M10/0565
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域,公开了一种耐高压电解质界面层及其原位制备方法和应用。本发明的制备方法包括以下步骤:(1)将含氟的丙烯酸酯单体、锂盐混合均匀,制成前驱体;(2)将前驱体、正极、负极和电解质基体组装成电池,前驱体设置于电解质基体与正极材料之间;(3)将电池充电使得丙烯酸酯单体聚合,前驱体固化成聚合物电解质层,即可获得耐高压电解质界面层。本发明使用电化学聚合法,在充电过程中完成聚合,不需要二次组装,由此解决接触不良进而形成空间电荷层及增大接触电阻的技术问题。
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公开(公告)号:CN109886873A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910059491.X
申请日:2019-01-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T3/40
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的模拟画像生成方法,包括如下步骤:S1:获得人脸拼接图或人脸轮廓图;S2:生成人脸图像,将所述人脸拼接图或人脸轮廓图分别作为条件生成对抗网络的条件输入,用于约束网络生成分别与二者相似的,更逼真,更自然的完整人脸图像;S3:人脸辨认及编辑,受害人对生成的完整人脸图像进行辨认,并提出局部或整体修改意见,依据修改意见对图片进行编辑或重新生成,最终输出人脸图像。本发明还公开了该方法对应的装置。本发明的模拟画像生成方法,基于现有的手绘方法和拼接式模拟画像方法的改进,引入了条件生成对抗网络算法和卷积神经网络算法,使得生成的模拟画像更加形象自然、逼真、传神,将能大大提升实用效果。
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公开(公告)号:CN111724445B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202010383829.X
申请日:2020-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大视野小尺寸识别码的识别方法及系统,属于计算机视觉技术领域。本发明方法首先利用第一图像采集装置实时采集图像,对当前帧图像进行特征检测,获取识别码在当前帧图像中的位置;再根据识别码在当前帧图像中的位置实时调节光路,以使得识别码在第二图像采集装置的中心清晰成像;最后从识别码成像中读取识别码信息。本发明还实现了一种大视野小尺寸识别码的识别系统。本发明方法和系统能根据不同的识别码应用场景在总体结构不变的情况下灵活调整,可以有效解决远距离、大视野、高景深识别码的难以识别问题,具有速度快、鲁棒性高、适应性好等优点。
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公开(公告)号:CN114188536B
公开(公告)日:2023-02-10
申请号:CN202111289382.0
申请日:2021-11-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/62 , H01M10/0525 , C08G83/00
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域,并具体公开了一种MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料及其制备方法,其包括如下步骤:S1、室温下,将锂离子电池正极颗粒加入2,5‑二羟基对苯二甲酸溶液中得到混合液,其中2,5‑二羟基对苯二甲酸中上的羟基与锂离子电池正极颗粒上的残碱结合,形成被2,5‑二羟基对苯二甲酸包覆的锂离子电池正极颗粒;S2、将金属盐加入所述混合液中,包覆在锂离子电池正极颗粒上的2,5‑二羟基对苯二甲酸与金属离子反应生成MOF,从而得到MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料。通过本发明的制备方法可得到MOF均匀包覆的锂离子电池正极材料,其具有高的比容量,好的倍率性能以及稳定的循环性能。
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公开(公告)号:CN111934020A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202010676638.2
申请日:2020-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M10/0565
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域,公开了一种耐高压电解质界面层及其原位制备方法和应用。本发明的制备方法包括以下步骤:(1)将含氟的丙烯酸酯单体、锂盐混合均匀,制成前驱体;(2)将前驱体、正极、负极和电解质基体组装成电池,前驱体设置于电解质基体与正极材料之间;(3)将电池充电使得丙烯酸酯单体聚合,前驱体固化成聚合物电解质层,即可获得耐高压电解质界面层。本发明使用电化学聚合法,在充电过程中完成聚合,不需要二次组装,由此解决接触不良进而形成空间电荷层及增大接触电阻的技术问题。
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