-
公开(公告)号：CN110850513B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201911201078.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，其公开了一种微透镜的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；(2)对所述衬底进行热氧化后，再对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的二氧化物；其中；(3)重复步骤(2)，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。本发明通过提高温度、增大氧化剂气压、向衬底内掺入高浓度杂质来提高微透镜的加工效率，由此解决微透镜加工精度较低、加工效率差、加工成本高的技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113172487A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110428045.9
申请日：2021-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微米级功能结构的振动铁磁流体超精密抛光方法，包括以下步骤：在待抛光工件的微结构中注入抛光液，抛光液包括铁磁流体、非磁性磨粒和水；通过磁场聚焦机构将外加磁场聚焦在工件的特定抛光部位，并控制外加磁场或工件的振动及运动轨迹，抛光液中铁磁流体在磁场的作用下限制非磁性磨粒自由移动，使非磁性磨粒始终垂直于微结构形貌振动打磨并沿微结构形貌走向运动打磨。本发明通过将磁场聚焦于待抛光微结构特定部位，用以控制磨粒在小范围特定区域抛光，根据加工工况，控制形成不同大小、形状的聚焦磁场，等同于“柔性抛光磨头”大小、形状可控。
-
公开(公告)号：CN110850513A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911201078.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，其公开了一种微透镜的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；(2)对所述衬底进行热氧化后，再对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的二氧化物；其中；(3)重复步骤(2)，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。本发明通过提高温度、增大氧化剂气压、向衬底内掺入高浓度杂质来提高微透镜的加工效率，由此解决微透镜加工精度较低、加工效率差、加工成本高的技术问题。
-
公开(公告)号：CN112289883A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011190233.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在SOI基片上预规划掺杂区域，所述SOI基片包括由下至上依次堆叠的半导体材料衬底、绝缘层、绝缘层上半导体；(b)通过扩散或离子注入形成P型基体；(c)在P型衬底上通过扩散或离子注入在图中位置分别形成重掺杂P型区域及重掺杂N型区域；(d)在预规划的电极位置沉积金属层，刻蚀金属层形成金属电极(e)刻蚀去掉不需要的半导体材料形成隔离。本发明的半导体雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高半导体雪崩光电探测芯片的吸收面积和探测效率。
-
公开(公告)号：CN112289883B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011190233.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在SOI基片上预规划掺杂区域，所述SOI基片包括由下至上依次堆叠的半导体材料衬底、绝缘层、绝缘层上半导体；(b)通过扩散或离子注入形成P型基体；(c)在P型衬底上通过扩散或离子注入在图中位置分别形成重掺杂P型区域及重掺杂N型区域；(d)在预规划的电极位置沉积金属层，刻蚀金属层形成金属电极(e)刻蚀去掉不需要的半导体材料形成隔离。本发明的半导体雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高半导体雪崩光电探测芯片的吸收面积和探测效率。
-
公开(公告)号：CN114296161A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111623025.3
申请日：2021-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微透镜阵列制造相关技术领域，其公开了一种大面阵三维球形微透镜阵列及其制备方法，制备方法包括以下步骤:(1)在基板的表面上旋涂预定厚度的光刻胶，并利用光刻与热回流工艺对得到的光刻胶层进行处理以得到目标微透镜阵列的结构母模；(2)在结构母模的表面制备PDMS层，并在固化后将PDMS层进行脱模剥离，以得到目标微透镜阵列的凹模；(3)以制备微透镜的材料为原料在基底上制备目标层，并采用凹模对目标层进行压印、紫外光固化及脱模剥离，以在基底上制备得到三维球形微透镜阵列。本发明结合了热回流工艺及PDMS软光刻，可以用于制作不同体积与曲率大小的微透镜单元，同时不受微透镜单元数量限制，操作简单，适用性较强。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.015 seconds)
