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公开(公告)号：CN110850513B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201911201078.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，其公开了一种微透镜的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；(2)对所述衬底进行热氧化后，再对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的二氧化物；其中；(3)重复步骤(2)，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。本发明通过提高温度、增大氧化剂气压、向衬底内掺入高浓度杂质来提高微透镜的加工效率，由此解决微透镜加工精度较低、加工效率差、加工成本高的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109713062A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811581513.0
申请日：2018-12-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅雪崩光电探测芯片及其制备方法，属于光电探测领域。该方法包括下列步骤：(a)对P型硅上表面进行N型掺杂或外延，形成深N阱；(b)在深N阱上表面进行N型掺杂或外延，形成N阱；(c)在N阱上表面局部进行P型掺杂形成保护环，将N阱分为位于保护环内外两侧的N型硅；(d)对保护环外侧的N型硅表面外侧，以及保护环与保护环外侧的N型硅交界处表面，分别进行刻蚀形成浅槽，并用绝缘介质填充浅槽；(e)对保护环以及保护环内侧的N型硅的上表面均进行P型掺杂形成二极管的P端；保护环掺杂浓度低于P端掺杂浓度；(f)对保护环外侧的N型硅上表面进行N型掺杂形成二极管的N端，P端和N端被步骤(d)的浅槽隔离。
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公开(公告)号：CN109713063B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811582320.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在半导体材料的P型衬底上进行N型外延或N型掺杂生成N型基体；(b)在N型基体上表面形成至少两个N型凸起，在相邻的N型凸起之间刻蚀形成沟槽，并用绝缘介质填充沟槽；(c)沉积绝缘介质层，去掉N型凸起上的绝缘介质层，对N型凸起进行P型重掺杂；(d)在预规划的电极位置刻蚀残余介质层，直至露出N型基体，在露出的N型基体处进行N型重掺杂；(e)在各P型重掺杂区和N型重掺杂区上方分别沉积并刻蚀形成金属电极。本发明的硅雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高硅雪崩光电探测芯片的吸收面积和散热面积。
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公开(公告)号：CN109713063A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811582320.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在半导体材料的P型衬底上进行N型外延或N型掺杂生成N型基体；(b)在N型基体上表面形成至少两个N型凸起，在相邻的N型凸起之间刻蚀形成沟槽，并用绝缘介质填充沟槽；(c)沉积绝缘介质层，去掉N型凸起上的绝缘介质层，对N型凸起进行P型重掺杂；(d)在预规划的电极位置刻蚀残余介质层，直至露出N型基体，在露出的N型基体处进行N型重掺杂；(e)在各P型重掺杂区和N型重掺杂区上方分别沉积并刻蚀形成金属电极。本发明的硅雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高硅雪崩光电探测芯片的吸收面积和散热面积。
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公开(公告)号：CN109713062B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811581513.0
申请日：2018-12-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅雪崩光电探测芯片及其制备方法，属于光电探测领域。该方法包括下列步骤：(a)对P型硅上表面进行N型掺杂或外延，形成深N阱；(b)在深N阱上表面进行N型掺杂或外延，形成N阱；(c)在N阱上表面局部进行P型掺杂形成保护环，将N阱分为位于保护环内外两侧的N型硅；(d)对保护环外侧的N型硅表面外侧，以及保护环与保护环外侧的N型硅交界处表面，分别进行刻蚀形成浅槽，并用绝缘介质填充浅槽；(e)对保护环以及保护环内侧的N型硅的上表面均进行P型掺杂形成二极管的P端；保护环掺杂浓度低于P端掺杂浓度；(f)对保护环外侧的N型硅上表面进行N型掺杂形成二极管的N端，P端和N端被步骤(d)的浅槽隔离。
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公开(公告)号：CN110850513A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911201078.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，其公开了一种微透镜的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；(2)对所述衬底进行热氧化后，再对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的二氧化物；其中；(3)重复步骤(2)，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。本发明通过提高温度、增大氧化剂气压、向衬底内掺入高浓度杂质来提高微透镜的加工效率，由此解决微透镜加工精度较低、加工效率差、加工成本高的技术问题。
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