公开(公告)号：CN119364207A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411489303.4

申请日：2024-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘冬生 ,  张艺晖 ,  韩理想 ,  陈俊杰 ,  李豪 ,  胡昂

IPC: H04N25/62 ,  H04N25/766 ,  H04N25/768

Abstract: 本发明公开了一种用于图像传感器的具有摆率控制功能的LVDS驱动电路，包括：三级电流驱动单元和延时单元；所述三级电流驱动单元用于分阶段接收输入电压，并将所述输入电压转变为输出电流，分阶段输出所述输出电流；所述延时单元与三级电流驱动单元输入端相连接，通过使所述三级电流驱动单元输入端设置不同阻值的电阻，使所述三级电流驱动单元接收不同延时的输入电压，分阶段接收输入电压。本发明实施例通过控制输入电压分阶段输入，再控制所述输出电流分阶段输出，从而避免了在某一时刻下产生过大的电流，从而实现对信号转换时的摆率控制，最终保证输入端的信号充分建立、输出端信号噪声降低。

公开(公告)号：CN119050119A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202410998084.6

申请日：2024-07-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘冬生 ,  韩理想 ,  李豪 ,  张艺晖 ,  唐江 ,  高亮

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点图像传感器的客制化加工方法，包括以下步骤：客制化前道工艺：对图像传感器进行通孔，并在所述通孔内填充金属，形成像素电极区域；对所述图像传感器刻蚀，使所述图像传感器的读出电路中需要引出的端口暴露；将所述读出电路表面磨平；客制化后道工艺：在所述像素电极表面蒸镀一层钛金，且所述钛金覆盖面积大于所述像素电极面积。本发明实施例通过客制化前道工艺和客制化后道工艺解决了标准CMOS工艺与溶液法异质集成之间不兼容的问题，实现了胶体量子点器件与读出电路的异质集成。

公开(公告)号：CN118785000A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411017141.4

申请日：2024-07-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘冬生 ,  韩理想 ,  张艺晖 ,  李豪 ,  唐江 ,  高亮

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/76 ,  H04N25/67

Abstract: 本发明公开了一种用于图像传感器的高一致性偏置电路，包括：基准电流产生模块、全局电流偏置模块和电流输出模块；所述基准电流产生模块用于提供与绝对温度成正比的基准电流；所述全局电流偏置模块用于将所述基准电流分流为至少一个与绝对温度成正比的输入电流；所述电流输出模块用于将所述输入电流分流为至少一个与绝对温度成正比的输出偏置电流。本发明实施例通过将基准电流设置为与绝对温度成正比，从而使最终输出的输出偏置电流也与绝对温度成正比，缓解了随温度升高导致被偏置电路性能下降的问题，并通过基准电流产生模块、全局电流偏置模块和电流输出模块相互配合，使输出的输出偏置电流能够保持高一致性。