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公开(公告)号：CN117177582A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310965366.1
申请日：2023-08-02
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态信息存储技术领域，具体提供了一种柔性非易失性存储可重写性质的高分子存储器件及其制备方法和应用。器件结构为经典的三明治结构，制备的Al/poly(TPC‑Fe)/ITO器件显示出了稳定的非易失性可擦写存储性能。同时，poly(TPC‑Fe)薄膜的本征柔性赋予了器件良好的柔韧性，使其在不同弯曲半径下(R＝15‑7mm)，器件性能均与原始状态基本一致。此外，Al/poly(TPC‑Fe)/ITO器件还具有显著的抗疲劳性。即使在最大弯曲形变下(R＝7mm)，器件经过100次动态弯曲‑释放循环后，性能也没有发生明显衰减。
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公开(公告)号：CN118042920A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311847886.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点的忆阻器及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种ZnTPP‑g‑GQDs:PVP的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。此外，该器件在一个小的扫描电压下表现出可连续调控的电流，通过制备的阻变存储器件模拟了生物突触的增强和抑制，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117042586A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310866757.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种含二芳基乙烯的光电双响应聚合物薄膜的阻变存储器件及其制备方法和应用。器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种新型光电双响应高分子材料poly(DAE‑TPB)的薄膜。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流‑电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。基于光调电阻特性，器件将可应用于光控逻辑运算。该聚合物忆阻器能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN119677401A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411754136.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种基于偶氮苯的二维高分子薄膜全光控神经形态器件及其制备和应用。器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种新型光敏二维高分子材料TAPB‑DCA‑2DP的薄膜。在该光学突触中成功模拟了配对脉冲促进/抑制(PPF/PPD)和长期增强/抑制(LTP/LTD)等关键突触功能。此外，全光突触有效地执行“与”和“或”逻辑门操作，并成功集成到用于氧化铟锡(ITO)玻璃异常检测的新型边缘计算系统中。该聚合物忆阻器能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN111834524B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010651847.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储技术领域，具体提供了一种具备非易失性存储可重写性质的共轭高分子存储器件及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种侧链为新型高分子材料PBDT‑BQTPA的薄膜，顶电极为Au。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流‑电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。
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公开(公告)号：CN114709329A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210163414.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种以有机二维共轭对称性高分子作为活性层的纳米神经形态器件及其制备方法和应用。该纳米级器件通过电子束光刻技术和剥离方法以8×8交叉开关阵列的形式制造，字线和位线的宽度分别为100nm和200nm，为极小的纳米级结构。此器件以最小化和低电势实现了聚合物忆阻器创纪录的高产量，同时在20～40ns内快速响应，D2D的变异幅度低于10％，器件良品率高于90％，并且此器件可达到50～100nm规模，功耗低于20J/bit。该聚合物忆阻器阵列能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN111834524A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010651847.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储技术领域，具体提供了一种具备非易失性存储可重写性质的共轭高分子存储器件及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种侧链为新型高分子材料PBDT-BQTPA的薄膜，顶电极为Au。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流-电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。
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