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公开(公告)号：CN119630167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411664302.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态信息存储技术领域，提供了一种具有亚乙烯基连接的离子共价有机框架忆阻器件及其制备和应用。具体涉及了两种不同活性的构建单元(三苯基苯，三核铜)，通过绿色水热法，在ITO表面生长出乙烯基桥连的离子共价有机框架薄膜作为阻变存储器件。本发明通过绿色基底辅助的水热法，成功在ITO基底上生长出大面积、质地均匀的二维COF薄膜，有效解决了乙烯基COF本征特性导致的后续成膜加工难题；所采用的水热法为大规模低碳生产高结晶性二维乙烯基离子共价有机框架材料开辟了新路径，具有深远的意义和价值。
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公开(公告)号：CN119451368A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411602000.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种光电双响应蒽基二维共价有机框架器件及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种COF‑DaTp的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的波长的光脉冲，器件表现出双光电调制，对光脉冲表现出显著的光电电阻切换，实现了32个光电导态。此外，它在电压扫描和电脉冲中表现出与历史相关的忆阻行为，具有32种导电状态，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。
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公开(公告)号：CN117177582A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310965366.1
申请日：2023-08-02
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态信息存储技术领域，具体提供了一种柔性非易失性存储可重写性质的高分子存储器件及其制备方法和应用。器件结构为经典的三明治结构，制备的Al/poly(TPC‑Fe)/ITO器件显示出了稳定的非易失性可擦写存储性能。同时，poly(TPC‑Fe)薄膜的本征柔性赋予了器件良好的柔韧性，使其在不同弯曲半径下(R＝15‑7mm)，器件性能均与原始状态基本一致。此外，Al/poly(TPC‑Fe)/ITO器件还具有显著的抗疲劳性。即使在最大弯曲形变下(R＝7mm)，器件经过100次动态弯曲‑释放循环后，性能也没有发生明显衰减。
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公开(公告)号：CN111834526B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010652703.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体提供了一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用，同时具备忆阻器性能和非易失性可擦写阻变存储性能。本发明中器件结构为经典的三明治结构，顶电极为Al，活性层为聚苯胺修饰的黑磷纳米片，底电极为ITO(氧化铟锡)。该器件在小电压窗口表现出忆阻器特性，且具有良好的线性关系；在大电压窗口则表现出双稳态非易失性可擦写行为，具有良好的保持性和耐受性。
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公开(公告)号：CN110452364B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910712818.9
申请日：2019-08-02
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机发光材料、共价修饰石墨烯及其复合材料用于制备固态薄膜光限幅器技术领域，具体提供了一种将具有聚集诱导发光特性的高分子共价修饰的石墨烯复合材料制备固态薄膜光限幅器的方法，同时提供了具有聚集诱导发光特性的高分子与其共价修饰石墨烯及制备方法。本发明中通过Suzuki偶联聚合反应制备、含四苯基乙烯与芴官能团的具有聚集诱导发光特性的高分子，通过氮烯反应将其共价修饰到石墨烯表面，以及将得到的石墨烯复合材料用于制备固态薄膜光限幅器。所得的石墨烯复合材料具有优异的溶解性，突出的光学性质以及电荷传输性质，以其所制备的固态薄膜光限幅器具有优异的光学响应，这赋予其在光电器件方面有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109266075B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810912201.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 华东理工大学
IPC: C09D5/08 , C09D5/16 , C09D151/08 , C08F283/06 , C08F220/14
Abstract: 本发明提供一种提高不锈钢板抗海洋生物腐蚀和污染的方法。该方法采用的是线性或交联聚合物材料修饰在不锈钢表面，该聚合物材料是聚甲基丙烯酸二甲基氨乙脂(P(DMAEMA))以及其引入季铵基团的衍生物。多巴胺在不锈钢表面自聚合用以锚定烷基溴原子转移自由基聚合引发剂，然后甲基丙烯酸二甲基氨乙脂在不锈钢表面进行原子转移自由基聚合，在不锈钢表面接枝线性或交联聚甲基丙烯酸二甲基氨乙脂。所述官能化的不锈钢在海洋环境中具有良好的防污和防生物腐蚀功能。与现有技术相比，本发明成本低，使用寿命长，能够对不锈钢进行高效、环保地防污和防生物腐蚀，并且无任何副产物产生，这样功能化修饰不锈钢的方法在海洋领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110452364A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910712818.9
申请日：2019-08-02
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机发光材料、共价修饰石墨烯及其复合材料用于制备固态薄膜光限幅器技术领域，具体提供了一种将具有聚集诱导发光特性的高分子共价修饰的石墨烯复合材料制备固态薄膜光限幅器的方法，同时提供了具有聚集诱导发光特性的高分子与其共价修饰石墨烯及制备方法。本发明中通过Suzuki偶联聚合反应制备、含四苯基乙烯与芴官能团的具有聚集诱导发光特性的高分子，通过氮烯反应将其共价修饰到石墨烯表面，以及将得到的石墨烯复合材料用于制备固态薄膜光限幅器。所得的石墨烯复合材料具有优异的溶解性，突出的光学性质以及电荷传输性质，以其所制备的固态薄膜光限幅器具有优异的光学响应，这赋予其在光电器件方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110034231A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910229224.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种同时具备信息存储和数据处理能力的高分子忆阻器及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为Pt，活性层为侧链含三苯胺和二茂铁两个氧化还原基团的聚芴材料PFTPA-Fc薄膜，顶电极为ITO。通过对该器件施加不同的电压，其电流电压曲线表现出不同的特性：在低导态可以实现多态存储、在高导态能实现算术运算和逻辑运算功能。此外，器件可以实现高导态和低导态间的自由切换。通过高分子的分子设计和电学性能调控将多态存储和运算功能集成到单个忆阻器中，得到高性能的电子器件，是一种满足当今日益增长的数据存储和处理需求的有效手段。
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公开(公告)号：CN118792179A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310400018.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于微生物应用技术领域，涉及到一株能够耐受高浓度乳酸盐的手性L‑乳酸生产工程菌及其应用。该菌株分离自预处理玉米秸秆水解液中，分类命名为乳酸片球菌PediococcusacidilacticiNL1，保藏于中国典型培养物保藏中心，保藏编号为CCTCCM 2023152，保藏日期为2023年2月20日。该菌株具备对各类生物质来源糖，高效代谢并合成高浓度、高手性度L‑乳酸盐的能力。纤维素L‑乳酸钠批次发酵的浓度最高可达132g/L；纤维素L‑乳酸钙批次发酵的浓度最高可达154g/L。手性纯度均可达到99.5％以上，是作为可降解材料聚乳酸(polylacticacid,PLA)生产的重要前体材料。
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公开(公告)号：CN114709329A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210163414.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种以有机二维共轭对称性高分子作为活性层的纳米神经形态器件及其制备方法和应用。该纳米级器件通过电子束光刻技术和剥离方法以8×8交叉开关阵列的形式制造，字线和位线的宽度分别为100nm和200nm，为极小的纳米级结构。此器件以最小化和低电势实现了聚合物忆阻器创纪录的高产量，同时在20～40ns内快速响应，D2D的变异幅度低于10％，器件良品率高于90％，并且此器件可达到50～100nm规模，功耗低于20J/bit。该聚合物忆阻器阵列能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。
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