公开(公告)号：CN118042920A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311847886.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 李金勇 ,  赵磊 ,  时珺乐 ,  王佳欢 ,  胡冰洋 ,  彭国栋 ,  李伟 ,  张斌

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点的忆阻器及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种ZnTPP‑g‑GQDs:PVP的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。此外，该器件在一个小的扫描电压下表现出可连续调控的电流，通过制备的阻变存储器件模拟了生物突触的增强和抑制，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。