公开(公告)号：CN114709329A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210163414.0

申请日：2022-02-22

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 赵可嘉 ,  李金勇 ,  张琼珊 ,  张斌

IPC: H01L45/00 ,  C08G61/12 ,  G01B21/20 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种以有机二维共轭对称性高分子作为活性层的纳米神经形态器件及其制备方法和应用。该纳米级器件通过电子束光刻技术和剥离方法以8×8交叉开关阵列的形式制造，字线和位线的宽度分别为100nm和200nm，为极小的纳米级结构。此器件以最小化和低电势实现了聚合物忆阻器创纪录的高产量，同时在20～40ns内快速响应，D2D的变异幅度低于10％，器件良品率高于90％，并且此器件可达到50～100nm规模，功耗低于20J/bit。该聚合物忆阻器阵列能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。

公开(公告)号：CN118221913A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410107026.X

申请日：2024-01-25

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张琼珊 ,  勾书懿 ,  冯翊斐 ,  谭辉 ,  赵健善 ,  况挺 ,  张斌

IPC: C08G61/02 ,  H10K85/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K30/00 ,  H10B63/00 ,  C25B3/11 ,  C25B3/20

Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储技术领域，具体提供了一种含蒽基的光电双响应聚合物薄膜及其制备和应用。本发明具体提供了一种以具有光电双响应的基于蒽基共价有机聚合物作为活性层的信息存储器件。器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种柔性共价有机聚合物材料poly(An‑Py+Br‑)的薄膜。制备的ITO/poly(An‑Py+Br‑)/ITO器件在电场作用下表现出了稳定的非易失性可擦写存储性能。由电场写入的数据可以通过施加紫外光的方式进行擦除。