公开(公告)号：CN119903793A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411766369.3

申请日：2024-12-03

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨红 ,  孙鸣阳 ,  刘倩倩 ,  卜伟海 ,  王晓磊 ,  罗军 ,  武咏琴 ,  王文武

IPC: G06F30/33 ,  G06F30/337 ,  G06F119/04 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开一种集成电路的修复方法，涉及集成电路技术领域，以提高对集成电路的老化修复的实时性、修复精度和修复效果，从而提高集成电路在长时间工作过程中的性能。集成电路的修复方法包括：首先，提供待修复的集成电路。接下来，获取待修复的集成电路的第一性能关联参数和性能退化关联参数；并建立电路老化模型。接下来，对待修复的集成电路进行仿真，确定待修复的集成电路中的待修复晶体管和第一故障时间。接下来，获取待修复晶体管的第二性能关联参数。接下来，确定待修复晶体管对应的修复参数。接下来，采用栅诱导漏极泄漏电流修复方式，并根据第一故障时间和修复参数对待修复晶体管进行修复。

公开(公告)号：CN119742231A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411587003.X

申请日：2024-11-07

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨红 ,  蒋松沂 ,  李俊杰 ,  卜伟海 ,  刘倩倩 ,  王晓磊 ,  罗军 ,  王文武

IPC: H01L21/3105 ,  H10D1/66

Abstract: 本发明公开了一种氧化层的制造方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，以在低温环境下在半导体结构上形成高质量、高致密度、高可靠性、厚度调控范围大、且调控精度高的氧化层。所述氧化层的制造方法包括：提供半导体结构。接下来，在第一低温环境下，在半导体结构上形成第一氧化层。接下来，在第二低温环境下，对第一氧化层和部分半导体结构进行氧等离子体处理，以使第一氧化层形成第二氧化层；第二氧化层的致密性大于第一氧化层的致密性。所述半导体器件包括：半导体结构、以及设置在半导体结构上的第二氧化层，第二氧化层采用上述氧化层的制造方法制造形成。

公开(公告)号：CN119835985A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411808034.3

申请日：2024-12-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨红 ,  向亮 ,  许高博 ,  高建峰 ,  王晓磊 ,  刘倩倩 ,  罗军

IPC: H10D64/01 ,  H10D64/66 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在对半导体器件的氟掺杂缺陷钝化的同时，降低对半导体器件的损伤，从而提升半导体器件的可靠性。所述半导体器件的制造方法包括：首先，在基底上形成栅电极。栅电极中和/或栅电极表面具有含氟副产物。接下来，沿基底的厚度方向，在栅电极上依次形成栅介质层和有源层；并将含氟副产物中的氟元素扩散至栅介质层内和有源层内。所述半导体器件采用上述半导体器件的制造方法制造而成。本发明提供的一种半导体器件及其制造方法用于在对半导体器件的氟掺杂缺陷钝化的同时，降低对半导体器件的损伤，从而提升半导体器件的可靠性。