公开(公告)号：CN119835985A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411808034.3

申请日：2024-12-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨红 ,  向亮 ,  许高博 ,  高建峰 ,  王晓磊 ,  刘倩倩 ,  罗军

IPC: H10D64/01 ,  H10D64/66 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在对半导体器件的氟掺杂缺陷钝化的同时，降低对半导体器件的损伤，从而提升半导体器件的可靠性。所述半导体器件的制造方法包括：首先，在基底上形成栅电极。栅电极中和/或栅电极表面具有含氟副产物。接下来，沿基底的厚度方向，在栅电极上依次形成栅介质层和有源层；并将含氟副产物中的氟元素扩散至栅介质层内和有源层内。所述半导体器件采用上述半导体器件的制造方法制造而成。本发明提供的一种半导体器件及其制造方法用于在对半导体器件的氟掺杂缺陷钝化的同时，降低对半导体器件的损伤，从而提升半导体器件的可靠性。