用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法

    公开(公告)号:CN111785597A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010718865.7

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法,包括:将硅片进行酸洗吹干;在吹干的硅片表面均匀涂覆光刻胶再覆盖掩膜版,采用紫外光照射数分钟后,使用显影液洗去表面光刻胶,在硅片表面获得与掩膜版图案相同或相反的图案;在硅片表面贵金属沉积,获得贵金属层,其中贵金属层在硅片表面形成纳米网状结构;将表面沉积贵金属的硅片放入配置好的HF-H2O2溶液中浸泡若干分钟进行表面蚀刻,获得相应深度的微孔结构;然后将蚀刻完毕的硅片取出,去除沉积的金属层,然后洗净吹干;将清洗完毕并吹干的硅微通道板在高温下氧化,获得氧化硅薄层。本发明通过微通道板结构改善,提高微通道板的增益一致性以及光电倍增管的能量分辨率。

Patent Agency Ranking