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公开(公告)号：CN119674517A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411627417.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的倾斜波束平面波导缝隙天线，属于射频前端器件领域。其由自下向上层叠设置的第一金属层、介质层、第二金属层，以及联通两层金属并贯通介质层的金属通孔组成。其中第一金属层为整体矩形金属地；介质层为整体矩形介质层；第二金属层为天线主辐射层，包括矩形CPW信号地、球棒形CPW信号线、矩形引向贴片；CPW信号线的上边缘与CPW信号地构成输入端口，下边缘距离CPW信号地约二分之一个工作波长，构成缝隙以辐射电磁波。当激励信号接入输入端口，主辐射结构将产生最大辐射方向在俯仰面50°方向的倾斜波束。本倾斜波束平面波导缝隙天线具有工作频段高、前后比高、结构简单、易于集成的特征。
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公开(公告)号：CN119651088A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411630826.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的并联式MEMS开关，属于射频前端器件领域。其由自下至上层叠设置的第一层金属贴片，中间层介质板，第二层金属贴片与高阻偏置线，介电薄膜与金属桥墩，第三层金属贴片组成。其中第一层金属贴片为整体金属地；中间层介质板为整体介质层；第二层金属贴片包括共面波导信号地、共面波导信号线、直流偏置电极、开关驱动电极；第三层金属贴片包括开关金属梁和CPW封闭桥梁。开关的下驱动电极上覆有面积稍大的介电薄膜，而CPW信号地的中段设置了一段抬起桥梁，直流偏置线通过该桥梁走线并将开关下电极连接到直流偏置电极上。
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公开(公告)号：CN119627380A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411626703.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于一种太赫兹频段低损耗高隔离度MEMS开关，属于射频前端器件领域。该开关桥墩结构，金属梁，上电极通孔组，梯形连接，触点，氮化硅电容绝缘层，下电极，氮化硅电极绝缘层，共面波导微波传输线结构，直流偏置高阻线，金丝，金PAD焊盘贴片，介质基板，背板金属地，接地金属圆柱，金属架桥组成。当通过共面波导进行馈电时，分析开关导通和关断状态下射频特性。开关关断时，隔离度可达‑24.94dB，在高频具备低插损高隔离度的特性，可广泛应用于太赫兹通信领域，应用在微波电路、天线等射频器件中。开关采用单层金属梁设计，结构简单、制造方便，可快速刻蚀制造。
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公开(公告)号：CN119626074A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510094062.1
申请日：2025-01-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G09B23/18
Abstract: 本发明公开了一种基于混合现实的电子电路实验教学方法及系统，涉及虚实交互技术领域，具体步骤为：获取电子元件并对电子元件进行拆分，构建电子元件模型数据库；识别并追踪物理对象，获取物理对象的识别信息和实时位置数据；获取外部输入指令，并对外部输入指令进行解析，获得操作指令；根据操作指令和物理对象的识别信息调用电子元件模型和\或理论知识库中的相关数据；对相关数据进行显示，并根据接收的手势数据或眼动数据或实时位置数据按预设规则对相关数据进行对应的交互操作。本发明提供了实时交互的学习环境，使学生能够更直观地理解抽象概念，并在虚拟环境中进行操作练习，不仅提高了学习效率，而且增强了学生的参与感和兴趣。
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公开(公告)号：CN117293541A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311386640.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了基于单刀三掷MEMS开关的KA波段方向图可重构天线，包括层叠的第一金属贴片层、介质基板以及第二金属贴片层，第一金属贴片层中，微带信号线第一端连接MEMS单刀三掷开关的输入端，三个八木微带天线单元的第一部分结构以及微带信号线以MEMS单刀三掷开关为中心沿周向分布，且间隔90°圆心角；三个八木微带天线单元的第一部分结构对应连接MEMS单刀三掷开关的输出端；第二金属贴片层中，三个八木微带天线单元的第二部分结构与金属地连接；金属地与微带信号线的第二端共同作为激励信号输入端。本发明可以满足大角度扫描范围的要求，可以实现三个方向的端射增益，结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺实现快速印刷制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119992328A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510077217.0
申请日：2025-01-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06V20/10 , G06V10/26 , G06V10/28 , G06V10/44 , G06V10/56 , G06V10/764 , G06V10/75 , G06V30/148
Abstract: 本发明公开了一种面包板电路的智能识别方法和系统，方法包括以下步骤：获取面包板图像并提取面包板区域，获得面包板区域图像；获得面包板轮廓、插孔轮廓和电子元器件轮廓；计算获得面包板区域图像中每个插孔的二维坐标；获取各个电子元器件轮廓分割图像；将各个电子元器件轮廓分割图像输入到预训练的元器件种类分类模型,获得各个电子元器件的类型；将各个电子元器件轮廓分割图像预设范围内的插孔输入至预训练的插孔状态分类模型，获得插孔状态：将各个电子元器件引脚部分的末端区域与最近的真实被插入的插孔坐标建立连接关系，获得各电子元器件的电路连接关系。本发明可以自动识别面包板上搭建的电路，方便试验人员快速判断搭建的电路是否正确。
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公开(公告)号：CN118763422A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410964811.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元，属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元，复合梁MEMS开关，直流偏置线，金属短截线，圆形通孔，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差，且MEMS开关工作在300GHZ以下，均可以保证在断开状态隔离度高于15dB；导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN118117328A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410319791.8
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超宽带圆极化磁电偶极子天线，属于射频前端器件技术领域，其包括天线辐射体和馈电模块；所述天线辐射体包括上辐射层、下辐射层以及金属过孔；所述上辐射层和下辐射层均设置有两个矩形贴片，且在同一辐射层上的四个矩形贴片正投影分别位于方形的四个顶点；同一辐射层的两个辐射贴片位于方形的对角线上；其中一辐射层上的两个辐射贴片相邻端平面连接；金属过孔与矩形贴片一一对应；所述金属过孔的顶端与对应的矩形贴片短接，底端与金属地连接；本发明在30Ghz附近频段内达到超过40％阻抗带宽的性能，以及圆极化轴比带宽也高于20％，在保持上述性能优势下，还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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