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公开(公告)号：CN118549739A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410798450.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构检测超快脉冲信号的方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管存储和检测纳秒级别超快电信号，在写字线与写位线分别接入待检测信号和恒定高电平信号，若存在超快电脉冲信号则使得写晶体管导通，将写位线的高电平传递至存储节点；当超快电脉冲信号的下降沿到来后，写晶体管将关断，存储节点中的电压信息将保持一段时间；当存储节点电压大于零时，读晶体管将导通，反之，读晶体管将关断，在读位线始终施加恒定电平，通过读字线流过的电流不为零检测到超快电脉冲信号。本发明大大降低了检测任务对外围电路的精度要求，有效降低了硬件开销。
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公开(公告)号：CN114121088A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111404135.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京大学 , 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本发明公布了一种基于阻变存储器的实现可调随机随机数序列方法，该方法利用阻变存储器操作周期间的电阻波动性实现随机数发生，则可获得随机数序列。利用本发明控制操作电流改变随机数的统计分布，通过逐渐增加操作电流，随机数分布方差减小，利用这一过程可以实现客体倾向性的转变。本发明对解决强化学习应用的边端部署问题具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114094009A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111385644.3
申请日：2021-11-22
Applicant: 北京大学 , 北京超弦存储器研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。
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公开(公告)号：CN114093395A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111385647.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 北京大学 , 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本发明公布了一种高密度存储器交叉点阵，属于半导体技术领域。该存储器交叉点阵包括一系列互相垂直的导线，横向的导线之间互相平行，称之为字线；纵向的导线之间互相平行，称之为位线，每根字线与每根位线之间都互相垂直且存在交叉点，若字线共M根，位线共N根，则交叉点阵存在M×N个交叉点，在字线和位线上分别周期性设有锚点结构。本发明不仅增加了导线的粘附性，且降低了导线电阻，缓解了大规模阵列中电压降的问题，对超大规模新型存储器点阵的制备具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118885150A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410911937.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G06F7/08 , G11C11/40 , G11C11/4063
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管存储阵列的数据排序办法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个双晶体管存储阵列和外围电路，将要排序的若干数值映射为写字线电平，依次写入不同的双晶体管存储阵列中的存储单元中，利用双晶体管存储单元的特性，得到待排序序列从大到小的排序结果。本发明可以有效减少排序数据与处理器之间的数据传输，有望进一步提升边缘大规模数据排序工作的能效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114094009B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111385644.3
申请日：2021-11-22
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。
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公开(公告)号：CN118654767A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410911960.7
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管，感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点，用于暂存信号电荷，待检测光脉冲信号到来后，感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对，导致感光晶体管的阈值电压降低，使得感光晶体管迅速进入导通状态，允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电，实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性，即使信号输入时间短暂，也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化，大大降低了检测任务对外围电路的精度要求，有效降低了硬件开销。
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公开(公告)号：CN118609622A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410798460.7
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管存储单元提取模拟信号最大值的方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管构成双晶体管存储单元，系统上电后，先对存储节点放电至0电位，然后在写位线与读位线分别施加高电平，写字线施加待检测信号，利用双晶体管存储单元得到一段时间内待测信号的电压最大值，通过读取读字线的电流读出存储在节点上的信号最大值，实现模拟信号最大值的提取。本发明可在模拟域实现信号关键特征的提取，有效提升了系统的能效，同时大幅降低硬件开销。
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公开(公告)号：CN114121088B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111404135.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于阻变存储器的实现可调随机随机数序列方法，该方法利用阻变存储器操作周期间的电阻波动性实现随机数发生，则可获得随机数序列。利用本发明控制操作电流改变随机数的统计分布，通过逐渐增加操作电流，随机数分布方差减小，利用这一过程可以实现客体倾向性的转变。本发明对解决强化学习应用的边端部署问题具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117672307A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311660386.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G11C13/04 , H04N25/78 , H04N25/767 , H01L27/146 , G11C8/08 , G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用，属于微纳电子学技术领域，本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道，并激发出电子空穴对，光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移，并被界面陷阱捕获，可使感光晶体管的阈值电压负漂，将光学信息转变为电学信息，通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴，在正栅压的驱动下，沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合，使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能，有效降低数据反复搬运造成的功耗，有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。
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