一种基于双晶体管结构检测超快脉冲信号的方法

    公开(公告)号:CN118549739A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410798450.3

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构检测超快脉冲信号的方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管存储和检测纳秒级别超快电信号,在写字线与写位线分别接入待检测信号和恒定高电平信号,若存在超快电脉冲信号则使得写晶体管导通,将写位线的高电平传递至存储节点;当超快电脉冲信号的下降沿到来后,写晶体管将关断,存储节点中的电压信息将保持一段时间;当存储节点电压大于零时,读晶体管将导通,反之,读晶体管将关断,在读位线始终施加恒定电平,通过读字线流过的电流不为零检测到超快电脉冲信号。本发明大大降低了检测任务对外围电路的精度要求,有效降低了硬件开销。

    一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114094009A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111385644.3

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法,属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件,其核心在于,阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成,形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题,可有效地抑制器件的低保持力。同时,多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数,为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。

    一种高密度存储器交叉点阵
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114093395A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111385647.7

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明公布了一种高密度存储器交叉点阵,属于半导体技术领域。该存储器交叉点阵包括一系列互相垂直的导线,横向的导线之间互相平行,称之为字线;纵向的导线之间互相平行,称之为位线,每根字线与每根位线之间都互相垂直且存在交叉点,若字线共M根,位线共N根,则交叉点阵存在M×N个交叉点,在字线和位线上分别周期性设有锚点结构。本发明不仅增加了导线的粘附性,且降低了导线电阻,缓解了大规模阵列中电压降的问题,对超大规模新型存储器点阵的制备具有重要意义。

    一种动态随机存储阵列的控制方法

    公开(公告)号:CN117612584A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311633055.1

    申请日:2023-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种动态随机存储阵列的控制方法,属于微电子学与集成电路技术领域。该方法利用共享位线的双晶体管无电容动态随机存储器单元,将被选中行的写字线置为高电平,读字线置为低电平,未被选中行的写字线和读字线置为低电平,对于写入数据“1”的单元,将其位线置为高电平;对于写入数据“0”的单元,将其位线置为低电平;读取时将被选中行的写字线和读字线置为低电平,其余行的写字线置为低电平,读字线置为高电平;将所有列的位线置为高电平,若位线上的读出电流大于参考电流,读取结果为“1”;若位线上的读出电流小于参考电流,读取结果为“0”。本发明通过位线分时复用方法降低存储器阵列互连的复杂度,进一步提升存储密度。

    一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114094009B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202111385644.3

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法,属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件,其核心在于,阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成,形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题,可有效地抑制器件的低保持力。同时,多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数,为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。

    一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法

    公开(公告)号:CN118654767A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410911960.7

    申请日:2024-07-09

    Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管,感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点,用于暂存信号电荷,待检测光脉冲信号到来后,感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对,导致感光晶体管的阈值电压降低,使得感光晶体管迅速进入导通状态,允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电,实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性,即使信号输入时间短暂,也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化,大大降低了检测任务对外围电路的精度要求,有效降低了硬件开销。

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