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公开(公告)号：CN119132358A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310691252.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: G11C11/408
Abstract: 一种存储器及其制造方法、读写方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术，存储器包括：第一晶体管、第二晶体管和存储节点电极；所述位线依次通过所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述存储节点电极串联；所述字线分别与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接；所述第二晶体管为双栅晶体管，包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极与所述字线电连接；所述存储节点电极为所述第二栅极，所述存储节点电极与所述第一栅极电连接；有效减少漏电。
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公开(公告)号：CN118829199A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310416435.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10B12/00 , G11C11/409 , G11C11/401
Abstract: 本发明提供了一种存储器及其访问方法、电子设备，该存储器包括多个存储单元、写入字线、写入位线和读取位线；存储单元包括：第一晶体管、电容和第二晶体管；第一晶体管的栅极与写入字线连接，第一晶体管的第一极与写入位线连接，第一晶体管的第二极与电容的第一电极连接，电容的第二电极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的第一极用于接收预设电压，第二晶体管的第二极与读取位线连接。本发明提供的存储器，能够降低由于写入位线上的电压波动带来的影响，从而能够提高读写存储信息的正确性，而且可实现多比特多种状态信息的存储。
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公开(公告)号：CN118632517A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310220623.9
申请日：2023-03-08
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在本申请实施例所提供的半导体器件的制造方法中，在字线形成之前，预先在平行于字线方向上的任意相邻两个半导体柱之间形成牺牲柱，然后形成位于任意相邻两个牺牲柱之间的第一介质结构，从而在去除牺牲柱后，能够使得任意相邻两个第一介质结构之间形成的沟槽的形状，与牺牲柱截面形状相匹配，能够避免该沟槽的底部宽度与上部宽度出现差异过大的情况，有利于形成截面形状为矩形的沟槽，从而能够保障字线材料在沟槽内的沉积效果，能够避免形成的字线内存在气孔，从而能够保障字线的合格率，有利于保障半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118398669A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410362413.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括第一导电层、隔离层和半导体层，隔离层形成于第一导电层一侧，隔离层包括连续设置的本体部和缓冲部，本体部包括背离第一导电层的第一表面，第一表面平行于第一导电层，缓冲部的厚度由靠近本体部一侧向远离本体部一侧逐渐减小；半导体层包括连续设置的第一部分和第二部分，第一部分形成于隔离层背离第一导电层的一侧、第二部分与第一导电层接触。本申请提供的薄膜晶体管可实现占用面积与制备良率的兼顾。
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公开(公告)号：CN116234295B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111491380.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Inventor： 罗杰
Abstract: 本申请实施例提供了一种动态随机存储单元及其制备方法、动态随机存储器。该动态随机存储单元，包括：晶体管区，包括依次层叠的栅极结构、第一绝缘层、第一导电层和金属氧化物层；电容区，包括依次层叠的第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层和金属氧化物层；其中，第一导电层包括相互间隔的源极结构和漏极结构，源极结构位于晶体管区，漏极结构的一部分位于晶体管区，另一部分位于电容区。本申请实施例提供的动态随机存储单元采用金属氧化物层代替传统的单晶硅材料，有效提高了动态随机存储器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207132B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210044694.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Inventor： 罗杰
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元包括设置在基底上的栅电极层以及有源层，所述栅电极与所述有源层绝缘，所述有源层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅电极层远离所述基底一侧，且所述第一部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠，所述第二部分位于所述栅电极层靠近所述基底一侧，且所述第二部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠。
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公开(公告)号：CN116615087A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210116739.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 一种磁性隧道结及其制备方法，所述磁性隧道结包括：底电极；设置在所述底电极一侧的磁性隧道结主堆叠层；设置在所述磁性隧道结主堆叠层远离所述底电极一侧的隔断层；设置在所述隔断层远离所述底电极一侧的刻蚀阻挡层；设置在所述刻蚀阻挡层远离所述底电极一侧的顶电极；和设置在所述顶电极远离所述底电极一侧的牺牲硬掩模层。本申请的磁性隧道结及其制备方法可以有效的避免或者大大降低了Cl、H2O和O2等对MTJ器件的损伤。
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公开(公告)号：CN116207132A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210044694.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Inventor： 罗杰
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元包括设置在基底上的栅电极层以及有源层，所述栅电极与所述有源层绝缘，所述有源层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅电极层远离所述基底一侧，且所述第一部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠，所述第二部分位于所述栅电极层靠近所述基底一侧，且所述第二部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠。
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公开(公告)号：CN116207127A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111597808.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本发明提供了一种半导体氧化物晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、第一绝缘层、有源层、栅极、源极、漏极、栅极绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层设置于衬底上，第一绝缘层包括容槽；有源层设置于所述容槽中，有源层包括第一部分有源层和第二部分有源层；栅极绝缘层设置于栅极与第一部分有源层和第二部分有源层之间；源极和漏极相对设置于第二部分有源层上表面；第二绝缘层填充于源极和漏极周边。制备方法包括在衬底上通过沉积工艺和图形化工艺形成容槽；以向容槽内填充的方式形成有源层；在有源层上制备场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116190213A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111417086.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种制备半导体器件的多重曝光方法，包括以下步骤：在预先沉积有多层沉积层的半导体基板上，通过图案化工艺形成预定的光刻胶图案，使用所述预定的光刻胶图案作为第一光刻掩膜；在所述第一光刻掩膜上分步沉积两层绝缘层，依次形成第一绝缘层和第二绝缘层；然后通过连续四次蚀刻工艺，形成最终集成密度较高的目标图形。本发明以自对准三重图案化工艺(SATP)代替传统的自对准四重图案化工艺(SAQP)，简化了工艺，节省了制备成本。
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