公开(公告)号：CN118398669A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410362413.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  罗杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括第一导电层、隔离层和半导体层，隔离层形成于第一导电层一侧，隔离层包括连续设置的本体部和缓冲部，本体部包括背离第一导电层的第一表面，第一表面平行于第一导电层，缓冲部的厚度由靠近本体部一侧向远离本体部一侧逐渐减小；半导体层包括连续设置的第一部分和第二部分，第一部分形成于隔离层背离第一导电层的一侧、第二部分与第一导电层接触。本申请提供的薄膜晶体管可实现占用面积与制备良率的兼顾。

公开(公告)号：CN118173609A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311766202.2

申请日：2023-12-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、存储器及其制备方法。该薄膜晶体管包括衬底，在衬底的任意表面上方设有半导体层，在半导体层远离衬底的表面设有源/漏层，在源/漏层的中央设有隔离层，在隔离层表面设有沟道，且沟道包覆隔离层，至少部分沟道为经等离子体轰击处理；该薄膜晶体管还包括栅极，栅极位于沟道背离隔离层的表面，在沟道与栅极之间设有栅介质层，在栅极上方设有掩膜层及顶电极，其中，顶电极贯穿掩膜层以连接沟道。该薄膜晶体管可以增加沟道中氧空位浓度和/或提高源漏接触区载流子浓度，通过减小源漏接触电阻以提高器件的开态电流。

公开(公告)号：CN118553795A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410362834.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  罗杰 ,  卢宇鹏 ,  包运娇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L21/34 ,  H10B80/00

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及存储器。该薄膜晶体管，包括源极、漏极、源极接触层、漏极接触层、沟道层、栅极层和栅极隔离层，栅极隔离层覆盖栅极层，源极和漏极设置在栅极隔离层上，源极接触层覆盖源极，漏极接触层覆盖漏极，沟道层覆盖源极接触层、漏极接触层和栅极隔离层，源极接触层和漏极接触层的迁移率均大于或等于预设迁移率阈值，从而实现了一种漏极接触电阻和源极接触电阻均较低的薄膜晶体管，提高了薄膜晶体管工作时的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN118366512A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410339056.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  罗杰 ,  殷华湘 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  包运娇

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/408

Abstract: 本申请公开了一种动态随机存取存储器的存储单元、阵列、存储器及设备。该存储单元包括写字线、写位线、写晶体管、读字线、读位线和读晶体管；读晶体管包括多层沟道，每一层沟道的材料各不相同；写晶体管的栅极连接写字线，写晶体管的第一极连接写位线，写晶体管的第二极连接读晶体管的栅极；写晶体管的第一极和第二极分别为写晶体管的源极和漏极中的一个；读晶体管的第一极连接读位线，读晶体管的第二极连接读字线；读晶体管的第一极和第二极分别为读晶体管的源极和漏极中的一个。本申请的存储单元，读晶体管包括多层沟道，每一层沟道的材料各不相同，该读晶体管能够形成在不同电压区间下的不同电流区间，能够实现单一存储节点的多位信息存储。

公开(公告)号：CN118588765A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410282420.7

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  牛楚乔 ,  颜刚平 ,  杨延宇 ,  包运娇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，以解决传统OS‑TFT器件载流子迁移率低的问题。该薄膜晶体管包括：衬底；设置于所述衬底上表面的绝缘层；位于所述绝缘层上表面的鳍型栅；环绕式栅介质层和环绕式沟道，所述环绕式栅介质层覆盖所述鳍型栅的顶表面及侧表面，所述环绕式沟道环绕于所述环绕式栅介质层的外壁；设置于所述衬底上表面的源区和漏区，并且分别位于所述鳍型栅的相对的两侧，且与所述环绕式沟道接触。

公开(公告)号：CN118053912A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311775135.0

申请日：2023-12-21

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  包运娇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  杨延宇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、存储器及其制备方法。该薄膜晶体管包含在源极和漏极之间设置隔离介质层，同时该隔离介质层与沟道之间还具备第一方向的部分重叠，相较于传统的沟道上方设置钝化层方式，本申请设计的隔离介质层能够有效降低器件关闭状态下的大部分电子迁移概率，从而起到明显降低漏电流及功耗的技术效果。