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公开(公告)号：CN115161663A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210816912.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/091
Abstract: 一种MoS2/TaS2复合材料的合成方法，属于纳米材料技术领域。先将钼源和硫源溶于去离子水中，形成溶液；再向溶液中加入TaS2纳米片和NMP溶液，超声后得到混合物，再向混合物中加入碳布电极，使碳布电极浸入混合物中，再将混合物和碳布电极转移到反应釜中，再将密封的反应釜放入鼓风干燥箱中，进行水热反应，反应釜冷却后，取出碳布电极，得到生长有MoS2/TaS2复合材料的碳布电极。通过该合成方法制备的MoS2/TaS2复合材料成本低、导电性好，能有效的降低电化学反应中电荷转移电阻，且还具有优异的电荷载流子迁移率，以及较低的塔菲尔斜率，将其应用作为电催化剂时，存在更多的促进电荷传输的界面，增加了活性位点的比表面积，表现出优异的电催化性能，提高析氢的效率。
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公开(公告)号：CN109632925B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811578076.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括：在试样表面转移石墨烯；将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；向样品室内通入氧气；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测，可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
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公开(公告)号：CN102054991B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010562546.8
申请日：2010-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于燃料电池领域，具体是固体氧化物燃料电池阴极材料领域。本发明一种固体氧化物燃料电池阴极材料，分子式为LaxSr2-xFeO4±δ，其特征在于：x＝1.2，分子式为La1.2Sr0.8FeO4±δ。本发明还公开了上述阴极材料的制作方法。与现有技术相比，本发明所提供的甘氨酸法制备固体氧化物燃料电池阴极材料具有以下优点：1.与固态反应法相比，甘氨酸法制备周期短，粉末的热处理温度低，得到的粉末相比较纯，可以大批量生产。2.与柠檬酸-硝酸盐法和EDTA-柠檬酸法相比，甘氨酸法制备的工艺简单，不需要对溶液的pH值调节。3.氧化剂选用甘氨酸，加快反应的速度，可获得较小的颗粒直径。
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公开(公告)号：CN101713788B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910237676.1
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，属于纳米/微米材料性能原位检测领域。其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。本发明方法简单，便于操作，应用范围广泛，测量时间短，便于解释和发现纳米/微米材料优异的力电性能。
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公开(公告)号：CN101844876B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010176983.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将等摩尔数的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶解于去离子水中，并进行长时间超声波处理得反应溶液；将载有200nm厚的氧化锌薄膜的FTO导电玻璃基片用丙酮、无水乙醇及去离子水进行反复清洗，最后将其烘干作为生长基片。将上述处理好的基片放入第一步配制好的反应溶液中，密封后分阶段保温，清洗干燥后得到氧化锌纳米片阵列。本发明的优点在于：制得的产物产量大、比表面积大；合成方法反应温度低、效率高、成本低、适合在染料敏化太阳能电池等器件上的应用，特别适合工业化大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101713788A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910237676.1
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，属于纳米/微米材料性能原位检测领域。其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。本发明方法简单，便于操作，应用范围广泛，测量时间短，便于解释和发现纳米/微米材料优异的力电性能。
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公开(公告)号：CN101125996A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710175635.5
申请日：2007-10-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09D163/00 , C09D7/12 , C09D5/32 , B05D7/14
Abstract: 一种四针状纳米氧化锌吸波涂层的制备方法，属于纳米吸波涂层制备技术领域。工艺为：将铝板用清洗剂与酒精清洗干净，作为涂层衬底；称取一定质量的四针状纳米ZnO，加入稀释剂、分散剂超声分散10min；然后加入稀释好的环氧树脂，边超声边搅拌30min；最后加入适量的固化剂乙二胺，搅拌均匀并超声消除气泡；将制作好的涂料喷涂在铝板上，室温固化2h制成吸波涂层。涂层中四针状纳米ZnO的质量分数为30％，涂层厚度为3.5mm，涂层的厚度可以通过喷涂次数来控制。该涂层在6GHz－18GHz频率内实现了对电磁波的强吸收，反射率最小值达到－15.01dB。
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公开(公告)号：CN1321900C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510086564.2
申请日：2005-10-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98%/氧2%混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。
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公开(公告)号：CN1821053A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610011195.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种低温无催化剂气相沉积制备四针状氧化锌纳米棒的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉放置于瓷舟中，然后将硅基片倒扣于瓷舟上，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，使用流量计调节通入石英管中的氩气和氧气的总流量及两种气体的比例。在此气氛下将管式炉升温至600℃～700℃，然后保温20～25分钟，之后取出硅片，其上沉积的白色绒状物即为所需产品。本发明的优点在于：实现了无催化剂、低温制备四针状ZnO纳米棒，并保证产品质量高、可控性好、形貌丰富，具备规模化生产的前景。
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公开(公告)号：CN1373230A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN01140274.1
申请日：2001-12-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C21D8/00
Abstract: 本发明涉及一种低碳钢的形变热处理工艺,提出一种基于过冷奥氏体形变过程中的形变强化相变和铁素体动态再结晶的细化低碳钢中铁素体晶粒的技术方案,控制低碳钢在A3和Ar3之间的变形,解决了在低碳钢铁素体晶粒细化过程中存在的工艺控制严格的问题,使普通商用低碳钢在单道次或连续多道次变小变形量形条件下,获得等轴细晶铁素体组织,并使超细铁素体晶粒钢在保持原有塑性的同时,屈服强度提高一倍以上。
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