公开(公告)号：CN101844876A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010176983.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  秦子 ,  黄运华 ,  齐俊杰 ,  廖庆亮 ,  李会峰 ,  苏嘉

IPC: C03C17/23

Abstract: 一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将等摩尔数的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶解于去离子水中，并进行长时间超声波处理得反应溶液；将载有200nm厚的氧化锌薄膜的FTO导电玻璃基片用丙酮、无水乙醇及去离子水进行反复清洗，最后将其烘干作为生长基片。将上述处理好的基片放入第一步配制好的反应溶液中，密封后分阶段保温，清洗干燥后得到氧化锌纳米片阵列。本发明的优点在于：制得的产物产量大、比表面积大；合成方法反应温度低、效率高、成本低、适合在染料敏化太阳能电池等器件上的应用，特别适合工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN101412534A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810226852.7

申请日：2008-11-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李会峰 ,  黄运华 ,  张琪 ,  秦子 ,  王建

IPC: C01G9/03

Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别是提供了一种自催化法制备高产量T－ZnO纳米材料的方法，实现了低的制备温度下大范围的可控生长。其特征是通过如下三个步骤实现：1)将n型硅基片用丙酮和乙醇在超声清洗器内清洗干净，作为沉积基片；2)将纯度＞99.9％Zn粉和纯度＞90％ZAc粉按原子比10∶1混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；硅片距离反应物的距离保持在5－8mm之间；3)管式炉事先升温至650℃，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部；先向管内通入15分钟氩气，流量为80cm3/min；再通氧气15分钟，流量为40cm3/min，取出硅基片；冷却至室温后所得产品即四针状氧化锌，材料表面光滑，结晶性较高。本发明通过反应物自身的自催化作用，有效的降低反应温度，并且避免产物中金属的污染，实现大面积可控的制备，并大范围的提高产率。

公开(公告)号：CN101844876B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010176983.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  秦子 ,  黄运华 ,  齐俊杰 ,  廖庆亮 ,  李会峰 ,  苏嘉

IPC: C03C17/23

Abstract: 一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将等摩尔数的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶解于去离子水中，并进行长时间超声波处理得反应溶液；将载有200nm厚的氧化锌薄膜的FTO导电玻璃基片用丙酮、无水乙醇及去离子水进行反复清洗，最后将其烘干作为生长基片。将上述处理好的基片放入第一步配制好的反应溶液中，密封后分阶段保温，清洗干燥后得到氧化锌纳米片阵列。本发明的优点在于：制得的产物产量大、比表面积大；合成方法反应温度低、效率高、成本低、适合在染料敏化太阳能电池等器件上的应用，特别适合工业化大规模生产。