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公开(公告)号：CN102054991A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010562546.8
申请日：2010-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于燃料电池领域，具体是固体氧化物燃料电池阴极材料领域。本发明一种固体氧化物燃料电池阴极材料，分子式为LaxSr2-xFeO4±δ，其特征在于：x＝1.2，分子式为La1.2Sr0.8FeO4±δ。本发明还公开了上述阴极材料的制作方法。与现有技术相比，本发明所提供的甘氨酸法制备固体氧化物燃料电池阴极材料具有以下优点：1.与固态反应法相比，甘氨酸法制备周期短，粉末的热处理温度低，得到的粉末相比较纯，可以大批量生产。2.与柠檬酸-硝酸盐法和EDTA-柠檬酸法相比，甘氨酸法制备的工艺简单，不需要对溶液的pH值调节。3.氧化剂选用甘氨酸，加快反应的速度，可获得较小的颗粒直径。
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公开(公告)号：CN101844876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176983.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将等摩尔数的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶解于去离子水中，并进行长时间超声波处理得反应溶液；将载有200nm厚的氧化锌薄膜的FTO导电玻璃基片用丙酮、无水乙醇及去离子水进行反复清洗，最后将其烘干作为生长基片。将上述处理好的基片放入第一步配制好的反应溶液中，密封后分阶段保温，清洗干燥后得到氧化锌纳米片阵列。本发明的优点在于：制得的产物产量大、比表面积大；合成方法反应温度低、效率高、成本低、适合在染料敏化太阳能电池等器件上的应用，特别适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN101412534A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810226852.7
申请日：2008-11-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/03
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别是提供了一种自催化法制备高产量T－ZnO纳米材料的方法，实现了低的制备温度下大范围的可控生长。其特征是通过如下三个步骤实现：1)将n型硅基片用丙酮和乙醇在超声清洗器内清洗干净，作为沉积基片；2)将纯度＞99.9％Zn粉和纯度＞90％ZAc粉按原子比10∶1混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；硅片距离反应物的距离保持在5－8mm之间；3)管式炉事先升温至650℃，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部；先向管内通入15分钟氩气，流量为80cm3/min；再通氧气15分钟，流量为40cm3/min，取出硅基片；冷却至室温后所得产品即四针状氧化锌，材料表面光滑，结晶性较高。本发明通过反应物自身的自催化作用，有效的降低反应温度，并且避免产物中金属的污染，实现大面积可控的制备，并大范围的提高产率。
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公开(公告)号：CN102142482B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110004415.2
申请日：2011-01-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0224 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，具体工艺为：先在清洗干净的FTO导电玻璃上生长ZnO纳米阵列；接着，在生长优良的ZnO纳米阵列上旋涂PMMA光刻胶，使光刻胶渗透入阵列的间隙；然后进行前烘，使胶与阵列紧密粘连；前烘后进行氧等离子体刻蚀，刻蚀掉阵列端部的PMMA光刻胶，便于下一步的电极沉积；用真空镀膜机进行金属电极的沉积，厚度为50~100nm;退火处理一下使电极与ZnO纳米阵列更好地接触；最后，从Pt电极和FTO电极上引出铜导线就可以进行光电性能测试。本发明的优点在于：制备出的器件紫外光可以从背面照射，结构简单，成本低廉，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN101844798B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005303A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010575239.3
申请日：2010-12-01
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法。其特征在于：利用ZnO纳米颗粒多孔薄膜作为复合电极基础层；通过选取旋转涂覆氧化硅溶胶保护层来提高氧化锌纳米颗粒多孔薄膜电极在酸性染料中的耐腐蚀性能，用于染料敏化太阳能电池的稳定性。本发明通过对溶胶涂覆层数、烧结次数、浓度的调整可合理控制氧化硅薄膜涂层的厚度，获得耐腐蚀能力强且性能优异的复合电极。本发明可针对不同的敏化条件调整工艺参数来获得在敏化过程中耐酸性强、电极性能最优的SiO2-ZnO纳米颗粒多孔薄膜复合电极。其生产工艺具有效率高、成本低、适合于未来大规模生产等许多优点。
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公开(公告)号：CN102142482A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110004415.2
申请日：2011-01-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0224 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，具体工艺为：先在清洗干净的FTO导电玻璃上生长ZnO纳米阵列；接着，在生长优良的ZnO纳米阵列上旋涂PMMA光刻胶，使光刻胶渗透入阵列的间隙；然后进行前烘，使胶与阵列紧密粘连；前烘后进行氧等离子体刻蚀，刻蚀掉阵列端部的PMMA光刻胶，便于下一步的电极沉积；用真空镀膜机进行金属电极的沉积，厚度为50~100nm;退火处理一下使电极与ZnO纳米阵列更好地接触；最后，从Pt电极和FTO电极上引出铜导线就可以进行光电性能测试。本发明的优点在于：制备出的器件紫外光可以从背面照射，结构简单，成本低廉，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN102005304A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010575304.2
申请日：2010-12-01
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种SiO2-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法。其特征在于：利用水热法制备的ZnO纳米棒阵列作为复合电极基础层；选取旋转涂覆氧化硅溶胶法作为制备SiO2-ZnO纳米棒阵列复合涂层的方法；通过对溶胶的浓度、涂覆层数、烧结次数的调整可合理控制SiO2薄膜涂层的厚度，从而实现对复合电极性能的调控。本发明通过涂覆氧化硅保护层来提高氧化锌纳米棒阵列电极在酸性染料中的耐腐蚀方法，制备出一种适用于基于酸性染料的染料敏化太阳能电池的SiO2-ZnO纳米棒阵列复合阳极。具有性能稳定、耐酸性强、制备方法简单、成本低、效率高、面积可调范围广以及适合工业生产等许多优点。
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公开(公告)号：CN101844798A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN102034612B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010575341.3
申请日：2010-12-01
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，属于纳米材料技术领域。具体工艺步骤为：a.将等摩尔数的Zn(NO3)2和(CH2)6N4溶解于去离子水中配制成浓度为0.05～0.2M的反应溶液；b.将镀有ZnO晶种层的导电基底作为生长基底，直接放入上述溶液中，在80～100℃进行反应12～24小时，从而获得ZnO纳米棒阵列电极；c.用旋转涂覆法将氧化铝溶胶涂覆于ZnO纳米棒阵列电极表面，经过热处理后得到Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极。本发明有效抑制了ZnO电极表面的腐蚀及Zn2+/dye配合物的产生；采用旋涂溶胶法工艺简单，可获得表面均一、面积大的Al2O3薄膜涂层；通过对溶胶的浓度、涂覆层数、烧结次数的调整可合理控制Al2O3薄膜涂层的厚度。利用该复合电极组装的染料敏化太阳能电池的性能得到了极大的稳定。
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