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公开(公告)号：CN108246828A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810003352.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电塑性拉拔法制备高硅钢丝材的方法，属于金属材料领域。其中，所述高硅钢中的Si含量为3.5～7.5wt％，C含量为0～0.1wt％，B含量为0～0.10wt％，余量为铁和不可避免的杂质。该方法以高硅钢的线材为初始原料，在合适的电脉冲参数下，在20～200℃的温度范围内进行电塑性拉拔，拉拔速度为0.1～3m/min，经过多道次的拉拔，可以得到直径为0.3～1mm的高硅钢丝材。本发明的技术方案，操作简单，无需退火、无需电炉加热、降低生产成本，并且成材率高，获得的丝材表面质量优异、表面无氧化，直径均匀，且高硅钢丝材的室温塑性和磁性能更加优异。
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公开(公告)号：CN109881124A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910168874.0
申请日：2019-03-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于Cu-Zr金属玻璃的恒电阻复合材料的制备方法。选取Cu-Zr二元金属玻璃体系，使用非自耗真空电弧炉或冷坩埚悬浮炉里熔炼获得成分均匀的母合金锭，随后采用快速凝固的方法制备金属玻璃薄带，并将其在低于玻璃转变温度Tg以下的温度进行氧化处理，通过机械打磨等方式获得特定厚度下、宽温度范围内恒电阻的金属玻璃复合材料。本发明选用Cu-Zr二元金属玻璃体系，通过简单的选择性氧化方法实现Cu-Zr二元金属玻璃薄带的相分离，在金属玻璃基体上获得导电性优异的Cu。随后通过调控氧化后薄带的厚度制备出了在宽温度范围内，特别是室温附近电阻几乎不随温度改变的金属玻璃复合材料，操作简单，适于制备要求具有小的电阻温度系数的精密电阻器和薄膜电阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106363019A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610909214.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: B21B1/18 , B21B37/00 , B21B2265/22 , B21J5/08 , B21K29/00 , C21D8/065 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14
Abstract: 本发明属于金属材料制备领域，涉及一种高硅钢棒材的轧制工艺，按其化学成分及质量百分比为：Si:3.50％-9.50％，C:0％-0.04％，S:0％-0.02％，Mn:0.01％-0.20％,Ti:0％-0.02％，P:0％-0.01％，B:0％-0.10％，余量为铁。轧制工艺包括以下步骤：浇注铸锭、锻造方坯、加热及轧制，通过粗轧、中轧和精轧，将高硅钢由方坯加工至棒材。粗轧包括4道次，采用六角-方-椭圆-方孔型系统；中轧包括4道次，采用椭圆-方孔型系统，最后一道次采用圆形孔型；精轧包括2道次，采用椭圆-圆孔型系统。方坯经过第一道次轧制后采用椭圆-方孔型系统，有利于快速轧制，最后采用椭圆-圆孔型系统保证轧件均匀变形，保证轧件平整且尺寸符合要求。
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公开(公告)号：CN108246828B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810003352.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电塑性拉拔法制备高硅钢丝材的方法，属于金属材料领域。其中，所述高硅钢中的Si含量为3.5～7.5wt％，C含量为0～0.1wt％，B含量为0～0.10wt％，余量为铁和不可避免的杂质。该方法以高硅钢的线材为初始原料，在合适的电脉冲参数下，在20～200℃的温度范围内进行电塑性拉拔，拉拔速度为0.1～3m/min，经过多道次的拉拔，可以得到直径为0.3～1mm的高硅钢丝材。本发明的技术方案，操作简单，无需退火、无需电炉加热、降低生产成本，并且成材率高，获得的丝材表面质量优异、表面无氧化，直径均匀，且高硅钢丝材的室温塑性和磁性能更加优异。
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公开(公告)号：CN108286014B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810039451.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低铁损高强度无取向电工钢的制造方法，属于电工钢制造领域。制备步骤如下：1)熔炼、浇铸。材料成分为：Si＝3.5％‑5.5％，C≤0.50％，S≤0.002％，Mn≤0.50％，Ti≤0.0030％，P≤0.30％，B≤0.0020％，余量为铁。2)锻造开坯、热轧。3)再结晶退火，温度700‑900℃，时间0.5‑60min，空冷；硅含量低于4％时可不进行再结晶退火。4)中温轧制，轧至厚度小于0.5mm。5)酸洗、室温轧制，总压下量≥50％，得到0.03‑0.30mm的薄板。6)最终退火，退火温度400‑1300℃，退火时间30s‑200min，最终获得低铁损高强度无取向电工钢。本发明所制备的无取向电工钢，铁损进一步下降，强度进一步提升。由于仅采用硅作为固溶强化元素，降低了成本节约了资源，且由于兼具优异的磁性能和力学性能，在高速电机等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108286014A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810039451.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低铁损高强度无取向电工钢的制造方法，属于电工钢制造领域。制备步骤如下：1)熔炼、浇铸。材料成分为：Si＝3.5％-5.5％，C≤0.50％，S≤0.002％，Mn≤0.50％，Ti≤0.0030％，P≤0.30％，B≤0.0020％，余量为铁。2)锻造开坯、热轧。3)再结晶退火，温度700-900℃，时间0.5-60min，空冷；硅含量低于4％时可不进行再结晶退火。4)中温轧制，轧至厚度小于0.5mm。5)酸洗、室温轧制，总压下量≥50％，得到0.03-0.30mm的薄板。6)最终退火，退火温度400-1300℃，退火时间30s-200min，最终获得低铁损高强度无取向电工钢。本发明所制备的无取向电工钢，铁损进一步下降，强度进一步提升。由于仅采用硅作为固溶强化元素，降低了成本节约了资源，且由于兼具优异的磁性能和力学性能，在高速电机等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106363019B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610909214.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于金属材料制备领域，涉及一种高硅钢棒材的轧制工艺，按其化学成分及质量百分比为：Si:3.50％‑9.50％，C:0％‑0.04％，S:0％‑0.02％，Mn:0.01％‑0.20％,Ti:0％‑0.02％，P:0％‑0.01％，B:0％‑0.10％，余量为铁。轧制工艺包括以下步骤：浇注铸锭、锻造方坯、加热及轧制，通过粗轧、中轧和精轧，将高硅钢由方坯加工至棒材。粗轧包括4道次，采用六角‑方‑椭圆‑方孔型系统；中轧包括4道次，采用椭圆‑方孔型系统，最后一道次采用圆形孔型；精轧包括2道次，采用椭圆‑圆孔型系统。方坯经过第一道次轧制后采用椭圆‑方孔型系统，有利于快速轧制，最后采用椭圆‑圆孔型系统保证轧件均匀变形，保证轧件平整且尺寸符合要求。
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