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公开(公告)号：CN117758000A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311711890.2
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于铁矿粉造球团矿技术领域，公开了一种自熔性球团矿用共晶体熔剂，所述共晶体熔剂中含有以下质量百分比的组分：CaO 20%~50%，Fe2O310%~40%，SiO22%~30%，Re 1%~20%。本发明共晶体熔剂在造球混料前加入，加入的共晶体熔剂熔点低，在生球焙烧温度下快速熔化，并与周围固态氧化物进行激烈的物理化学反应，生成含更多组元的共晶体液相，随着这些共晶体液相在球团矿内迅速流动、扩散和冷却结晶，将球团矿内矿粉颗粒粘接在一起，达到提高球团矿碱度、成品球强度、降低还原膨胀率和低温还原粉化的目的。
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公开(公告)号：CN115028142A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210652949.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B3/06 , C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种利用废盐酸制备氢气的系统，属于废盐酸处理技术领域。该系统包括废盐酸沉淀池、离子交换单元、负压蒸发冷凝单元、水蒸发冷凝单元、干燥单元、硅和氯化氢反应单元、除尘装置、冷凝单元、三氯氢硅和四氯化硅分离单元。工业废盐酸在废盐酸沉淀池沉淀处理后，输送到离子交换单元；离子交换单元连接水蒸发冷凝单元。成品酸进入负压蒸发冷凝单元，产生的蒸汽进入干燥装置，干燥装置另一端连接硅和氯化氢反应装置；反应装置的蒸汽进入负压蒸发冷凝单元。除尘装置一端接反应装置；冷凝单元分别与除尘装置和三氯氢硅和四氯化硅分离单元相连接。该系统降低了工业废盐酸的处理成本，实现余热回收，节约能源，符合绿色环保可持续的要求。
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公开(公告)号：CN100364126C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510012295.5
申请日：2005-08-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种纳-微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，In、InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一系列含有纳米尺度的硅或硅锗量子线量子线、多孔硅锗合金片，在该多孔硅锗合金片的孔中含有In、InSb或Sb量子线或点，其组成特征是：In、InSb或Sb的重量总含量小于2%，具有实-空结合的量子结构，该结构使电子与声子运动分离，实现热电性能的大幅度提高，较常规的制备量子阱、量子线或量子点的化学气相沉积等方法具有工艺简便，成本低的优点，该制备方法还可用于较高性能硅锗激光器的研究。
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公开(公告)号：CN1733649A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510012221.1
申请日：2005-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01L35/22
Abstract: 一种N型铌酸钴氧化物热电材料及其制备方法，涉及氧化物热电半导体材料的制备。本发明采用固相合成和超高压相结合的方法，以固相金属氧化物或金属单质为原始材料，采用固相反应法，在氧化性气氛下合成所需材料，然后粉碎合成后的材料，并进行冷压成型，最后在超高压下烧结。本发明可以制备出高性能的N型铌酸钴Co0.66Nb1.33O4氧化物，该氧化物属于四方晶系，具有P42/mnm(136)对称性，在108℃，该热电材料表征的电导率为7701.3(Ω*cm)－1，塞贝克系数为39.95(μV/K)，功率因数为1229.129μW/(mK2)，无量纲优值系数ZT为0.033－0.038，其热电性能较目前已报道的N型氧化物的最高热电性能有较大幅度提高，使其成为有应用前景的热电材料。
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公开(公告)号：CN115028142B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210652949.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B3/06 , C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种利用废盐酸制备氢气的系统，属于废盐酸处理技术领域。该系统包括废盐酸沉淀池、离子交换单元、负压蒸发冷凝单元、水蒸发冷凝单元、干燥单元、硅和氯化氢反应单元、除尘装置、冷凝单元、三氯氢硅和四氯化硅分离单元。工业废盐酸在废盐酸沉淀池沉淀处理后，输送到离子交换单元；离子交换单元连接水蒸发冷凝单元。成品酸进入负压蒸发冷凝单元，产生的蒸汽进入干燥装置，干燥装置另一端连接硅和氯化氢反应装置；反应装置的蒸汽进入负压蒸发冷凝单元。除尘装置一端接反应装置；冷凝单元分别与除尘装置和三氯氢硅和四氯化硅分离单元相连接。该系统降低了工业废盐酸的处理成本，实现余热回收，节约能源，符合绿色环保可持续的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113098325A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110295826.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有多层相变材料散热器的可穿戴热电发电器，属于温差发电技术领域。该装置包括吸热膜模块、发电模块、散热膜模块和相变散热模块，发电模块包含热电臂、势垒层、导流条，相变散热器模块包含相变材料和隔离物，吸热膜模块包含吸热膜和集成板，散热膜模块包含散热膜和集成板，从下到上的相变材料的相变温度依次降低，相变潜热增加；所选密封材料需根据相变温度与外界温度的高低而定，当相变温度大于外界温度，热电发电器的密封材料选择高热导系数的材料，当相变温度小外界温度，散热器的密封材料选择绝热材料。本发明采用相变材料作为散热材料，通过多相变层和最外层曲面来增加散热速率，保持热电臂冷热端的温差。
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公开(公告)号：CN101656292B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910092656.X
申请日：2009-09-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铋碲系纳米多孔热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将铋碲基纳米粉末Bi2-xSbxTe3-ySey(x＝0-1.9，y＝0-0.5)置于充分溶解有造孔剂的酒精溶液中，混合过程采用超声波和磁悬搅拌相结合的方法，干燥后通过放电等离子体烧结技术将粉末烧结成块体材料，期间利用造孔剂在一定温度下会升华挥发，从而在烧结过程中在块体材料中留下纳米大小的孔洞结构，形成纳米多孔材料。该铋碲基合金系属于菱形晶系结构。本发明的优点在于，制备方法简单、易操作、成本较低、成分控制准确、纳米孔尺寸大小和分布较均匀等。
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公开(公告)号：CN119343039A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411466979.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853 , H10N19/00 , H10N10/10 , H02N11/00
Abstract: 本发明涉及热电转换、半导体器件技术领域，具体公开一种双极结型热电晶体管发电器件的制备方法。具体技术方案为：采用液相外延技术，以氢气、惰性气体或氢气和惰性气体的混合物作为保护气体，用掩膜板技术在衬底上隐蔽以及外延生长P型和N型热电薄膜，用物理沉积技术制备电极材料，最后制备出双极结型热电晶体管发电器件。本发明制备得到的热电晶体管发电器，能够实现在室温条件下由温差所产生的Seebeck电压直接驱动热电晶体管正常工作，通过利用三极管的信号放大原理，可获得输出功率和热电转换效率的巨大提升，可用于任意温度任意温差条件下的热电发电，能够为不同类型用电器供电。
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公开(公告)号：CN113897667A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111144596.9
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法，属于温差电领域。实验装置主要包含加热装置、密封装置和提拉旋转装置。加热装置能实现精确智能控制升温与降温；密封装置起到保护成膜环境密封性的作用；提拉旋转装置为样品台和衬底提供旋转和提拉的动力。成膜工艺参数主要包含衬底选择、根据相图选定母液成分并确定母液熔点和结晶点、寻找适当转速，冷却速度和提拉速度等。高性能的(Bi1‑xSbx)2(Te1‑ySey)3单晶薄膜可以组装器件用于制冷和发电。液相外延方法具备生长设备简单；有较高的生长速率；掺杂剂选择范围广；晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；晶体纯度高，生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便，可实现批量生产等优点。
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