公开(公告)号：CN100459202C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710118217.2

申请日：2007-07-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐桂英 ,  徐亚东

IPC: H01L35/34

Abstract: 一种硅锗系热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明采用真空电子束封装技术和热等静压相结合的办法，以固相硅粉、锗粉及各种掺杂剂为原始原料，热等静压过程中采用高纯氩气作为传递压力的介质。制备出高性能的硅锗合金系热电半导体，该硅锗合金系属于金刚石结构。本发明的优点在于，成分控制准确、组织致密无偏析、致密度高。

公开(公告)号：CN101083296A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710118217.2

申请日：2007-07-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐桂英 ,  徐亚东

IPC: H01L35/34

Abstract: 一种硅锗系热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明采用真空电子束封装技术和热等静压相结合的办法，以固相硅粉、锗粉及各种掺杂剂为原始原料，热等静压过程中采用高纯氩气作为传递压力的介质。制备出高性能的硅锗合金系热电半导体，该硅锗合金系属于金刚石结构。本发明的优点在于，成分控制准确、组织致密无偏析、致密度高。