公开(公告)号：CN101656292B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910092656.X

申请日：2009-09-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐桂英 ,  张艳华 ,  韩菲

IPC: H01L35/34 ,  B22F3/11

Abstract: 一种铋碲系纳米多孔热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将铋碲基纳米粉末Bi2-xSbxTe3-ySey(x＝0-1.9，y＝0-0.5)置于充分溶解有造孔剂的酒精溶液中，混合过程采用超声波和磁悬搅拌相结合的方法，干燥后通过放电等离子体烧结技术将粉末烧结成块体材料，期间利用造孔剂在一定温度下会升华挥发，从而在烧结过程中在块体材料中留下纳米大小的孔洞结构，形成纳米多孔材料。该铋碲基合金系属于菱形晶系结构。本发明的优点在于，制备方法简单、易操作、成本较低、成分控制准确、纳米孔尺寸大小和分布较均匀等。

公开(公告)号：CN101656292A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910092656.X

申请日：2009-09-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐桂英 ,  张艳华 ,  韩菲

IPC: H01L35/34 ,  B22F3/11

Abstract: 一种铋碲系纳米多孔热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将铋碲基纳米粉末Bi 2-x Sb x Te 3-y Se y (x＝0-1.9，y＝0-0.5)置于充分溶解有造孔剂的酒精溶液中，混合过程采用超声波和磁悬搅拌相结合的方法，干燥后通过放电等离子体烧结技术将粉末烧结成块体材料，期间利用造孔剂在一定温度下会升华挥发，从而在烧结过程中在块体材料中留下纳米大小的孔洞结构，形成纳米多孔材料。该铋碲基合金系属于菱形晶系结构。本发明的优点在于，制备方法简单、易操作、成本较低、成分控制准确、纳米孔尺寸大小和分布较均匀等。