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公开(公告)号：CN116088165A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211456584.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种二维静电扫描微镜及其制作方法，属于微光机电技术领域。本发明公开的一种二维静电扫描微镜，包括器件层、绝缘层、衬底层。器件层上包括聚合物填充电隔离沟道和开放电隔离沟道。二维静电扫描微镜基于聚合物填充沟道，实现高深宽比沟道的填充，采用与具有电绝缘和机械连接性的聚合物填充沟道，实现对沟道两侧电极的电绝缘和固化机械稳定连接，进而实现二维静电扫描微镜驱动电极间的高电压驱动；此外，采用聚合物一次填充方式实现沟道的无缝隙填充，提高沟道填充效率和成品率，降低二维静电扫描微镜制作成本。利用聚合物具有超低杨氏模量的特性，有效消除沟道内填充物与沟道结构之间的应力失配，提高二维静电扫描微镜工作稳定性。
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公开(公告)号：CN116364385A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211698049.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明涉及一种集成磁芯的自卷曲电感，用于提高磁芯填充的良率以及器件制造良率，属于MEMS加工制造领域。本发明的目的是为了优化3D自卷曲功率电感制造工艺，提高磁芯填充良率及器件制造速率，且实现器件全流程制造工艺与MEMS工艺相互兼容，提供一种集成磁芯的自卷曲电感。自卷曲电感包含衬底、磁芯、结构层下层薄膜、结构层上层薄膜、金属走线。其中，结构层下层薄膜，结构层上层薄膜和金属走线自下而上顺序堆叠于衬底上。磁芯沉积在结构层上层薄膜端部。该方案具有磁芯大小形貌可控、与MEMS工艺和IC工艺兼容、低成本、可量产等优势。
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公开(公告)号：CN114911051B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210493453.7
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京理工大学 , 重庆虹势科技有限公司 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法，属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构，电隔离沟道，焊盘和空腔，微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼，实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿；利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂，实现低频率温漂补偿；在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上，提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制，具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119148370A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411290342.1
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微位移平台及其位置检测方法，属于MEMS器件检测领域，主要在MEMS微镜的附近放一块位置感应元器件，将感应元器件集成到MEMS微镜中，当MEMS微镜的镜面偏转靠近感应元器件时，感应元器件会产生相应的电信号，放置感应元器件后，通过TSV或者TGV等工艺将信号传递给驱动控制电路，从而实时获取镜面的位置。本发明将器件检测与TSV或TGV工艺相结合，大大提高现有检测器件的集成度，且可以大批量低成本量产，有较高的市场前景。
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公开(公告)号：CN116222782A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310390875.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于MEMS可动微平台及其阵列的成像光谱仪，属于光谱成像技术领域。本发明包括超表面、MEMS可动微平台阵列、光阑、图像传感器。超表面由特征尺寸小于光谱仪工作波段的微结构构成。本发明采用超表面作为色散元件，显著压缩分光元器件的体积；通过将超表面集成于MEMS可动微平台阵列上，并实现使用半导体工艺进行MEMS可动微平台阵列加工，能够降低成像光谱仪的生产成本，提高成像光谱仪的集成度；利用MEMS可动微平台阵列将物方空间划分为多个区域进行成像，能够获得最大与阵列单元数量相同的空间分辨率，而不需要添加额外的扫描元件来获取空间分辨能力；通过灵活选择每个MEMS可动微平台单元的工作状态，获得任意大小的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN116040571A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211698055.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。
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公开(公告)号：CN115410826A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210674430.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: H01G5/04
Abstract: 本发明公开的一种自卷曲可调电容器及其实现方法，属于可调电容器技术领域。本发明公开的一种自卷曲可调电容器，包括衬底、牺牲层、应力调控层、第一电极、第二电极、加热器。通过沉积两种具有不同应力的薄膜将电容做成卷曲形状，将二维的平板电容卷曲成三维卷曲结构，从而显著降低可调电容的占地面积；通过在层间加入导热电阻或电容两侧加入外部热源，增加可调电容的能量密度，利用电热驱动调节卷曲结构的曲率半径，达到调节电容的目的。本发明无需额外的牺牲层，电极层充当应力调控层，工艺简单，易于实现。本发明具有微型化、高密度的特点，能够用于集成电路中，减小电容的占地面积，进一步减小电路的面积，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114911051A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210493453.7
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京理工大学 , 重庆虹势科技有限公司 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法，属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构，电隔离沟道，焊盘和空腔，微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼，实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿；利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂，实现低频率温漂补偿；在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上，提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制，具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。
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