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公开(公告)号：CN119540276A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411616793.X
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种宫颈病变区域辅助定位方法、设备及存储介质，属于图像处理技术领域，其方法包括获取宫颈锥切后的样本，并对样本进行定位与区域划分，确定扫描路径；获取宫颈锥切后的样本的OCT图像，并对OCT图像进行图像预处理操作；对预处理后的OCT图像，从沿x方向堆叠的B‑Scan截面图像、沿y方向堆叠的B‑Scan截面图像和沿z方向堆叠的B‑Scan截面图像中分别筛选出x方向、y方向和z方向上的疑似病灶区域所在截面图像的序号；对筛选结果序号的截面图像进行疑似病灶区域勾画；将各方向截面图像中的疑似病灶区域进行组合，形成三维体数据，定位其在样本的区域划分中的区域编号。本发明能对获取的宫颈数据进行处理，实现对疑似病灶位置的准确定位，降低漏检率。
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公开(公告)号：CN119503722A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411645929.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种静电和电热驱动结合的二自由度微夹持器及其制备方法，属于微机电系统领域，主要包括：外框以及设于所述外框内侧的内框；连接在所述外框与内框之间的电热驱动结构；设置在所述内框内的静电驱动结构和夹持器本体，所述静电驱动结构与所述夹持器本体连接；其中，所述电热驱动结构用于控制包含夹持器本体及静电驱动结构的内框进行面外运动；所述静电驱动结构用于控制夹持器本体进行面内运动，实现对微小物体进行面内、面外二自由度的操控。
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公开(公告)号：CN119165650A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411441067.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微镜单元、MEMS微镜阵列及制作方法，涉及微机电系统技术领域，MEMS微镜单元，包括外框架、内框架和驱动器，外框架顶部用于安装镜面层；内框架设于外框架底部，且其竖直投影位于外框架侧边的竖直投影内；外框架侧边与内框架位于同一侧的侧边之间连接有驱动器，驱动器能够驱动镜面层相对运动。MEMS微镜阵列，包括多个MEMS微镜单元，多个MEMS微镜单元依次阵列布置，且相邻两个MEMS微镜单元的镜面层之间具有缝隙。本发明设计有内框架和外框架，驱动器一端连接在内框架，令一端连接在外框架上，实现了驱动器的埋藏式设计，极大的提高了MEMS微镜的填充率。
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公开(公告)号：CN119002040A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411120992.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本申请涉及微机电系统领域，具体涉及一种MEMS微镜及其制造方法，MEMS微镜包括支撑框架、镜面以及驱动组件，驱动组件设有位于支撑框架与镜面之间的驱动结构；驱动结构由至少一个磁致伸缩层和至少一个非磁致伸缩层组合形成，其中非磁致伸缩层配置为贴合设置于磁致伸缩层的一侧表面，以使磁致伸缩层在磁场作用下，或缩短并带动非磁致伸缩层朝非磁致伸缩层所在侧方向弯曲，或伸长并带动非磁致伸缩层朝非磁致伸缩层所在侧方向的反方向弯曲，从而驱动镜面偏转；该MEMS微镜的结构不仅能够保证结构稳定性、高可靠性和响应速度，还兼顾结构的简单化，有助于实现MEMS微镜小型化和集成化，制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。
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公开(公告)号：CN118684181A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410693313.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩的MEMS执行器及其制造方法，该执行器的驱动臂由多层薄膜复合而成，所述膜结构包括磁致伸缩薄膜和非磁致伸缩薄膜。在磁场作用下，由于磁致伸缩薄膜本身发生伸缩，非磁致伸缩薄膜在磁场作用下薄膜本身无变化。所述驱动臂在应力作用下发生形变弯曲，带动相应结构运动。因此，本发明利用多层薄膜具有不同的磁致伸缩效应，产生应变力进行驱动，其结构简单，可通过电信号控制磁场大小，进而控驱动臂产生不同的位移量，响应速度快且控制精准，可以与多种微结构进行集成，实现MEMS执行器的小型化、集成化、大规模的商业化工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118299831A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410445250.X
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚酰亚胺的太赫兹透射单元及阵列系统，属于天线技术领域，包括四层金属贴片和三层聚酰亚胺介质；四层所述金属贴片分别设于所述聚酰亚胺介质的上下表面，用于将三层所述聚酰亚胺介质隔开；所述金属贴片包括金属外环和雪花状贴片，通过改变所述雪花状贴片的尺寸来调控太赫兹透射单元的透射相位。本发明提出的一种基于聚酰亚胺的太赫兹透射单元及阵列系统，可以在THz频段实现波束扫描，降低太赫兹透射阵列系统的集成难度，提高透射阵列的可靠性和抗干扰性能，保证通信稳定，解决传统透射阵列波束指向固定的问题，并且在THz频段具有较高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117199836A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311352108.2
申请日：2023-10-18
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹小型化波导圆极化天线及阵列。本发明包括十六个圆极化辐射单元组成的辐射口面和一分十六功分器。圆极化辐射单元包括激励波导口和加载了梯形金属块的辐射腔体。根据所需要的圆极化类型选择位于辐射腔的两对角中的一对加载梯形金属块。通过调整梯形金属块的斜面斜率、长度和厚度可以获得较高增益的圆极化辐射方向图。为适应4×4天线阵列馈电口的紧凑性，采用4层馈电网络组成的一分十六功分器，前两层由两种H面T型结组成，后两层由两种E面T型结组成。加载梯形金属块的辐射腔体天线单元具有以下优势，体积小，降低平台承载压力；结构简单，易于原型开发和制造；性能优异，具有较宽的圆极化工作带宽、单位口径增益高。
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公开(公告)号：CN116086308A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211621632.0
申请日：2022-12-16
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 重庆虹势科技有限公司
Abstract: 一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法，属于微机电领域。通过在驱动电极上施加电压，驱动动梳齿和可动镜面围绕扭转梁扭转，使动梳齿与静梳齿之间的交叠面积发生变化，导致动梳齿和静梳齿构成的电容发生变化；电容在变化过程中，调制感测电压的幅值，产生感测信号；通过在感测电极上测量感测信号能检测梳齿电容的变化，能求得梳齿驱动的静电MEMS微镜的偏转角度。采用频率远高于驱动电压的感测电压，对频域进行隔离，并对微镜运动产生的感测信号进行窄带通滤波处理，滤除驱动电压产生的干扰；通过T型偏置电路，降低驱动电压和感测电压在时域叠加过程中产生的串扰。本发明适用于测试等领域，提升旋转角度的测试精度。
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公开(公告)号：CN116040571A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211698055.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。
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公开(公告)号：CN115410826A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210674430.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: H01G5/04
Abstract: 本发明公开的一种自卷曲可调电容器及其实现方法，属于可调电容器技术领域。本发明公开的一种自卷曲可调电容器，包括衬底、牺牲层、应力调控层、第一电极、第二电极、加热器。通过沉积两种具有不同应力的薄膜将电容做成卷曲形状，将二维的平板电容卷曲成三维卷曲结构，从而显著降低可调电容的占地面积；通过在层间加入导热电阻或电容两侧加入外部热源，增加可调电容的能量密度，利用电热驱动调节卷曲结构的曲率半径，达到调节电容的目的。本发明无需额外的牺牲层，电极层充当应力调控层，工艺简单，易于实现。本发明具有微型化、高密度的特点，能够用于集成电路中，减小电容的占地面积，进一步减小电路的面积，降低生产成本。
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