一种制备不同弯曲程度纳米梁的方法

    公开(公告)号:CN110095950A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910378992.4

    申请日:2019-05-08

    Abstract: 本发明涉及一种制备不同弯曲程度纳米梁的方法,属于微纳加工领域。本发明公开了一种制备不同弯曲程度纳米梁的方法,主要利用聚焦离子束刻蚀系统(FIB)完成对不同弯曲程度纳米梁的制备,涉及微纳加工领域。本发明通过FIB刻蚀样品、氢氟酸缓冲液腐蚀样品两个步骤制备出纳米梁,通过控制聚焦离子束的束流大小和扫描时间制备出不同弯曲程度的纳米梁。本发明提供了一种制备不同弯曲程度纳米梁的方法,制备方法简单易行、制备精度高,为腔光力学的研究提供了新型纳米平台,为光力纳米器件的研究奠定了基础。

    一种拾取石墨电极组的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116281840A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310241906.1

    申请日:2023-03-14

    Abstract: 本发明涉及一种拾取石墨电极组的方法,属于微纳加工技术领域。将由衬底和衬底上的石墨电极组组成的样品A在真空下于230~290℃退火10~14h;用转移部件直接拾取时,将退火后的样品A在由乙醇和水按1:(2.7~3.3)的体积比组成的混合溶液A中密封浸泡14~18h;当用附着有二维材料的转移部件拾取时,将退火后的样品A在由乙醇、含5wt%氨的氨水和水按1:(0.6~1):(2.7~3.3)的体积比组成的混合溶液B中密封浸泡14~18h;吹干浸泡后的样品A,用转移部件中的h‑BN或转移部件上附有二维材料的一面完成对石墨电极组的拾取。所述方法通过退火和浸泡步骤提高了对石墨电极组的拾取效率和成功率。

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