公开(公告)号：CN115164940A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210966250.5

申请日：2022-08-12

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 金鑫 ,  蔚行 ,  李朝将 ,  刘晓豪 ,  刘德飘 ,  李忠新

IPC: G01C25/00

Abstract: 本发明提供了一种半球谐振陀螺装配位姿误差的确定方法及系统，涉及半球谐振陀螺装配误差检测技术领域，获取球面电极式半球谐振陀螺当前装配状态下谐振子与电极基座之间的电容为当前电容；将当前电容输入到装配位姿误差识别模型中，得到球面电极式半球谐振陀螺当前装配状态的装配位姿误差；装配位姿误差识别模型是根据球面电极式半球谐振陀螺多个误差装配状态下的电容和装配位姿误差，对支持向量机回归模型进行训练得到的。支持向量机基于结构风险最小化原则，泛化能力强，具有全局最优性，更适用于小样本统计，本发明通过构建装配位姿误差识别模型确定球面电极式半球谐振陀螺的装配位姿误差，进而提高球面电极式半球谐振陀螺的装配精度。

公开(公告)号：CN115592289B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202211273207.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李朝将 ,  刘德飘 ,  金鑫 ,  刘晓豪 ,  张嘉城 ,  蔚行

IPC: B23K31/02 ,  B23K37/00

Abstract: 本发明公开了一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法，属于半球谐振陀螺铟焊装配技术领域。本发明的铟焊工艺方法步骤为：1、根据谐振子和电极基座的尺寸，卷制相应厚度和高度的铟片；2、固定电极基座，将卷制的圆筒形铟片预制在谐振子中心杆或基座中心孔上，并固定谐振子；3、检测装置检测谐振子和电极基座位姿，进行轴孔对位装配；4、加热设备通电加热，圆筒形铟片高度方向上存在温度梯度，下端先熔化，上端未熔化铟片逐渐滑落并熔化，最后填充装配间隙；5、铟片完全熔化后停止加热，铟冷却凝固后完成铟焊。本发明解决了现有焊接方法无法完全、致密、均匀填充装配间隙的问题。

公开(公告)号：CN116295320A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310217399.8

申请日：2023-03-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 金鑫 ,  蔚行 ,  李朝将 ,  刘晓豪 ,  刘德飘 ,  李忠新 ,  熊健

IPC: G01C19/5783 ,  G01C25/00

Abstract: 本发明提供一种半球谐振陀螺谐振子与平面电极基座装配方法及装置，主要包括：差分式电容检测装置、小位移旋量计算装置、高精密位移台、控制机。差分式电容检测装置用于检测谐振子和电极基座之间形成的各个电容，小位移旋量计算装置用于检测谐振子调整至标准位置需要的调整量，控制机与差分式电容检测装置、小位移旋量计算装置以及高精密位移台通信连接。在调整过程中，小位移旋量计算装置以差分式电容检测装置测量的各个电容为输入，输出谐振子调整至标准位置需要的调整量，控制机根据调整量来调整高精密位移台，调整后使半球谐振陀螺达到标准装配状态。本发明解决了谐振子相对电极基座装配过程中位置偏移和倾斜的难题，提高了装配效率和精度。

公开(公告)号：CN115592289A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211273207.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 北京理工大学(CN)

Inventor： 李朝将 ,  刘德飘 ,  金鑫 ,  刘晓豪 ,  张嘉城 ,  蔚行

IPC: B23K31/02 ,  B23K37/00

Abstract: 本发明公开了一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法，属于半球谐振陀螺铟焊装配技术领域。本发明的铟焊工艺方法步骤为：1、根据谐振子和电极基座的尺寸，卷制相应厚度和高度的铟片；2、固定电极基座，将卷制的圆筒形铟片预制在谐振子中心杆或基座中心孔上，并固定谐振子；3、检测装置检测谐振子和电极基座位姿，进行轴孔对位装配；4、加热设备通电加热，圆筒形铟片高度方向上存在温度梯度，下端先熔化，上端未熔化铟片逐渐滑落并熔化，最后填充装配间隙；5、铟片完全熔化后停止加热，铟冷却凝固后完成铟焊。本发明解决了现有焊接方法无法完全、致密、均匀填充装配间隙的问题。