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发明公开
一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法有权

公开(公告)号：CN115592289A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211273207.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 北京理工大学(CN)

Inventor： 李朝将 , 刘德飘 , 金鑫 , 刘晓豪 , 张嘉城 , 蔚行

IPC: B23K31/02 , B23K37/00

Abstract: 本发明公开了一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法，属于半球谐振陀螺铟焊装配技术领域。本发明的铟焊工艺方法步骤为：1、根据谐振子和电极基座的尺寸，卷制相应厚度和高度的铟片；2、固定电极基座，将卷制的圆筒形铟片预制在谐振子中心杆或基座中心孔上，并固定谐振子；3、检测装置检测谐振子和电极基座位姿，进行轴孔对位装配；4、加热设备通电加热，圆筒形铟片高度方向上存在温度梯度，下端先熔化，上端未熔化铟片逐渐滑落并熔化，最后填充装配间隙；5、铟片完全熔化后停止加热，铟冷却凝固后完成铟焊。本发明解决了现有焊接方法无法完全、致密、均匀填充装配间隙的问题。

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