公开(公告)号：CN117573881A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311498523.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 季业 ,  宁宇 ,  贾培源 ,  蔡君亮 ,  邓雅 ,  高益军 ,  王雪涛 ,  崔振 ,  张雨佳 ,  王嗣鑫 ,  常睿 ,  张弛 ,  杨瑞 ,  王珺 ,  赵欣慧 ,  郑阳阳 ,  何实

IPC: G06F16/36 ,  G06F16/34 ,  G06F16/332

Abstract: 航天器控制推进系统在轨故障知识图谱的构建与应用方法，包括如下步骤：步骤S1，定知识图谱数据源：航天器控制推进系统在轨故障知识图谱据源分为三类八种数据：在轨操作指令单、在轨卫星状态库、在轨状态记录、各层级电子数据包、在轨归零报告、在轨问题分析报告。步骤S2，对步骤S1的三类八种数据源进行知识抽取得到知识三元组。步骤S3，将步骤S2得到的三元组依靠NEO4J数据库表示和存储，构建知识图谱本体并进行知识图谱可视化。步骤S4，利用S3得到的知识图谱本体进行故障定位应用。步骤S5，利用S3得到的知识图谱本体进行故障溯源应用。步骤S6，将新发生的故障数据实时录入更新航天器控制推进系统在轨知识图谱，进行完善和升级。

公开(公告)号：CN104065373A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410287083.7

申请日：2014-06-24

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 孙仲华 ,  王天悦 ,  何实 ,  郭兴

IPC: H03K19/0944

Abstract: 本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法包括步骤：(1)根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc选取电阻R1、R2、R4、R5；(2)搭建MOSFET管V1的测试电路；(3)测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2；(4)连接MOSFET管V2的测试电路；(5)测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2；(6)计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th；(7)选取电流反馈回路的电阻参数R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、R6'；(8)搭建并联电路；该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。

公开(公告)号：CN104065373B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410287083.7

申请日：2014-06-24

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 孙仲华 ,  王天悦 ,  何实 ,  郭兴

IPC: H03K19/0944

Abstract: 本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法包括步骤：(1)、根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc选取电阻R1、R2、R4、R5；(2)、搭建MOSFET管V1的测试电路；(3)、测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2；(4)、连接MOSFET管V2的测试电路；(6)、计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th；(7)、选取电流反馈回路的电阻参数R1’、R2’、R3’、R4’、R5’、R6’；(8)、搭建并联电路；该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。(5)、测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2；